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采用高温固相反应法合成稀土离子Eu3+掺杂的铌酸锶红色荧光粉,对其晶体结构和荧光性质进行了X射线衍射(XRD)、荧光光谱(PL)的表征,同时研究了共激活剂Bi3+对SrNb2O6:Eu3+发光性质的影响结果表明,在1 200 ℃焙烧后可得到SrNb2O6纯相;Sr1-xNb2O6:Eux3+荧光粉可以被395 nm近紫外光有效激发,发射峰以Eu3+的5D0→7F2(614 nm)电偶极跃迁为最强峰,Eu3+ 在SrNb2O6中应处于偏离反演对称中心的格位,当x=015时,SrNb2O6:Eu3+在614 nm处的发光强度最大;共激活剂Bi3+的掺入可以增强SrNb2O6:Eu3+荧光粉在325 nm左右激发峰的强度 相似文献
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研究了xSrO·yAl2 O3 Eu体系的光致发光 ;发现当y x <1.5时 ,产生余辉较短的红色发光 ,属于Eu3+ 离子 4f→ 4f特征跃迁发射 .当y x >1.5时 ,产生具有超长余辉的绿色或蓝色发光 ,属于Eu2 + 离子 5d→ 4f特征跃迁发射 相似文献
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以硫脲为硫源,采用燃烧法制备了Zn05Cd0.5S∶Eu3+半导体材料.研究了Eu掺杂量对Zn0.5Cd0.5S∶Eu3+半导体材料的结构,形貌,固体漫反射以及发光性能的影响.利用X-射线粉末衍射仪(XRD),扫描电子显微镜(SEM),紫外-可见分光光度计(UV-vis)和荧光分光光度计(PL)对样品进行了表征.结果表明:Eu掺杂量对样品的结构和形貌没有明显的变化,但对其发光性能却有着显著地影响.当Eu掺杂量为3%时所制备的Zn0.5Cd0.5S∶Eu3+半导体材料的发光性能为最强. 相似文献
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运用固相反应法在弱还原气氛下1473 K合成Ba2-xMgxSiO4:Eu2 荧光粉,用发光光谱和激发光谱,X射线粉末衍射等手段研究样品的发光特性和晶相结构.X-ray衍射图表明了Ba2-xMgxSiO4和Ba2SiO4的相位,同时证明Eu2 有助于绿光发射.激发光谱分布在300~450 nm的波长范围,峰值位于337 nm处,表明了这种荧光粉可以通过InGaN管芯产生的300~420 nm辐射有效激发.发射谱带由于Eu2 4 f65d1→4 f7的跃迁形成.随着Mg2 浓度的增加,讨论发射主峰蓝移的原因. 相似文献
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采用化学共沉淀法制备了荧光粉Ca Mo O4:Tb3+、Ca Mo O4:Eu3+,Tb3+,并对其发光性质进行了研究.Ca Mo O4:Tb3+样品在488nm激发下能发出很强的绿光,此时Tb3+的最佳掺杂浓度为15%;在Eu3+和Tb3+共同掺杂的体系中,可以观察到由于Tb3+向Eu3+的能量传递使Tb3+敏化Eu3+的发光现象.该荧光粉在近紫外光(379nm)激发下发出较强的白色荧光,光谱测试显示Ca Mo O4:Eu3+,Tb3+的发射光谱存在三个激发峰,分别位于488、543和613 nm处,能够合成较理想的白光. 相似文献
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研究了xSrO.yAl2O3:Eu体系的光致发光;发现当y/x<1.5时,产生余辉较短的红色发光,属于Eu3+离子4f→4f特征跃迁发射.当y/x>1.5时,产生具有超长余辉的绿色或蓝色发光,属于Eu2+离子5d→4f特征跃迁发射. 相似文献
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采用溶胶一凝胶法合成Sr5(PO4)3C1:Tb3+,Tm3+荧光粉,研究了煅烧温度、敏化剂的加入对材料发光性能的影响.结果表明:适量掺杂Tb3+,Tm3+后,基质的晶格结构并未发生变化,煅烧温度1250℃为最佳温度,敏化剂的加入较大的提高了荧光粉的发光强度. 相似文献
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BaO-La2O3-B2O3 玻璃中Eu2+ 和Eu3+的共激活发光 总被引:1,自引:0,他引:1
X射线衍射研究表明2BaO.(1-x)La2O3.9B2O3.xEu2O3(BLBE)体系的玻璃化温度在1025℃附近,荧光光谱研究表明,在BLBE体系中存在着Eu^2 和Eu^3 两种价态离子,316,360,379,393,413,462和512nm锐线激发峰和592,616,650和750nm红区射峰分别对应Eu^3 离子的f-f激发跃迁和^5D0-7FJ(J=1,2,3,4)跃迁发射,430nm和532nm宽带激发峰和蓝区发射分别对应Eu^2 离子的5d-4f激发跃迁和发射,引入Gd^3 离子友爱明显改善玻璃的红蓝光发射比,表明在BLBEG体系中存在着Gd^3 →Eu^2 →Eu^3 能量传递过程。 相似文献
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利用共沉淀法制备了纳米CaMoO4∶Eu3+发光粉体.并对不同掺杂浓度和不同煅烧温度下所制备的CaMoO4∶Eu3+发光粉体进行室温发光性质的研究.在室温下观测到CaMoO4∶Eu3+样品具有较强的Eu3+离子特征发射.通过对不同煅烧温度下样品发射谱的对比,发现800℃下煅烧的样品,荧光强度最强,样品的晶相与发射性质的研究表明:所制备的样品经不同温度热处理后,晶相与标准卡07-0212一致,荧光强度与Eu3+离子掺杂浓度关系研究表明:在不同掺杂浓度中,Eu3+离子浓度为20%时,其相对发射强度最强.在四个不同的煅烧温度中,经800℃煅烧的样品其发光效果最好.此外,还观察到基质与Eu3+之间的能量传递.CaMoO4∶Eu3+与CaWO4∶Eu3+的激发谱、发射谱进行比对,并且通过计算发现M6+-O的共价键比W6+-O结合的强. 相似文献
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采用水热法制备了稀土Eu掺杂的Zn0纳米片状材料(ZnO:1%Eu),在稀土Eu掺杂浓度一定的条件下讨论了不同水热反应温度对纳米片结构的影响,得出材料最佳生长温度,并研究了该反应温度条件下掺杂材料的光学性能.实验结果表明,稀土铕以正三价价态成功地掺入到ZnO晶格中.在反应温度为155℃时,材料的结晶质量最好.该反应温度下PL谱图显示出Eu3+的特征发射峰,分别位于579.6,587.8和614nm处,它们是V—V的跃迁,分别来源于Eu3+的5D0-7Fo,^5D0-7F1和^5D0-^7F2跃迁. 相似文献
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采用高温固相法合成了名义组成为Sr1.5Ca0.5 SiO4:0.01 Eu3+,nTb3+(n =3.0×10-4,7.0×10-4,1.5×10-3 mol)的荧光粉.X射线衍射测试表明荧光粉样品为单一物相.在紫外光(394 nm)激发下,样品同时产生蓝光、绿光和红橙光发射,分别对应于Eu2+离子的5d→4f,Tb3+离子的5 D4→7FJ和Eu3+离子的5D0→7FJ跃迁,表明部分Eu3+离子在还原气氛下被还原成Eu2+.红光、绿光和蓝光发射强度相当,复合得到白光.色坐标(CIE)计算结果显示,荧光粉Sr1.5Ca0.5SiO4:0.01 Eu3+,7.0×10-4 Tb3+的白色发光(CIE:x=0.321,y=0.322)接近纯白色(CIE:x=0.33,y=0.33),表明它是一种很有应用前景的基于紫外光芯片的单基白光荧光粉. 相似文献
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在空气中采用高温固相反应合成了CaO-La2O3-B2O3-Eu2O3-Sm2O3,CaO-La2O3-B2O3-Eu2O3-Tb2O7玻璃,发现Sm^3 ,Tb^3 离子能敏化玻璃体系中Eu^3 和Eu^2 的发光。Sm^3 →Eu^3 和Sm^3 →Eu^2 离子间的能量传递过程是声子支助的共振转移;Tb^3 的敏化作用是Tb^3 离子和Eu^3 离子之间存在着电子的传递。通过调节Sm^3 ,Tb^3 和Eu^3 的掺杂浓度,可以提高CaO-La2O3-B2O3-Eu2O3玻璃体系的红/蓝光发光强度。 相似文献
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