空间GaAs/Ge太阳电池电学性能的数值模拟

使用太阳电池模拟程序AFORS-HET拟合空间GaAs/Ge太阳电池的电学参数,以期为进一步研究空间太阳电池的辐照损伤效应开辟新途径.根据GaAs/Ge太阳电池的基本参数建立太阳电池基本模型,对照程序文件格式要求制作空间AM0标准太阳光谱和GaAs材料的吸收系数文件.数值模拟结果表明,模拟结果与实验数据符合,AFORS-HET程序能够很好地表征空间GaAs/Ge太阳电池内部载流子输运的基本性质.     

GaInP/GaAs/Ge太阳电池发展现状

作为航天飞行器能源的GaInP/GaAs/Ge三结太阳电池在太空环境运行时不仅受到光辐照,同时会受到各种能量的质子、电子等粒子的辐照,导致电池的电学性能发生衰退.太阳电池空间粒子辐照损伤机理及在轨性能退化预测成 为目前研究的重点.     

选择离子注入GaAs MESFET的旁栅特性研究

主要研究了平面选择离子注入隔离工艺条件下的GaAs MESFET的旁栅效应,分别设计了不同的测试方法来分析旁栅效应的多种特性,并从理论上对测试结果进行了解释.认为这些特性都与沟道-衬底(C-S)结的特性和高场下衬底深能级EL2的碰撞电离有关.     

薄膜太阳电池的最新发展——出席第五届国际光伏科学与工程会议

本文介绍了第五届国际光伏科学与工程会议概况及薄膜太阳电池的最新数据,其中包括单结和多结非晶硅电池、多晶CuInSe_2、CdTe电池、薄膜多晶硅和单晶GaAs电池性能。     

半导体GaAs一(GaAl)As多量子阱的光谱性质的研究

我们利用光致发光(PL)和激发光谱(PIE)技术研究了GaAs量子阱的光谱性质，观测到在GaAs量子阱中上转换发光，首次提出在GaAs量子阱中可能实现激光制冷，探索了光谱的发光机理.     

电子辐照GaInP/GaAs/Ge三结太阳电池短路电流退化机制研究

应用PC1D程序拟合1 Me V电子辐照后Ga In P/Ga As/Ge太阳电池的光谱响应得到少数载流子扩散长度随辐照电子注量的变化关系.结果表明:少数载流子(少子)扩散长度随辐照电子注量增加而减小,少数载流子扩散长度的缩短是太阳电池短路电流退化的主要原因.     

用γ射线大角度康普顿散射研究电子动量分布

本文介绍我们最近建立的用γ散射方法获取康普顿轮廓(Compton profile)数据的实验装置及初步测量的结果.采用的放射源为~(241)Am(210mCi),散射角为165°测量了国际标准校核样品:水.测量结果与国外发表的结果在±1%之内相符合,达到国际相互校核的水平.还测量了Al(三种不同厚度)、LiF和Cu样品.对测量结果进行了分析和讨论.     

利用半导体InGaN/GaN量子阱的高效太阳电池

在简述了量子结构太阳电池的发展及研究现状的基础上,从量子结构太阳电池的结构模型出发,用第一性原理来计算极限效率,并根据Shockley-Queisser极限和Pin结的细致平衡原理,对InGaN量子结构太阳电池的极限效率、光学性质和电学性质进行了相关的理论分析和计算,细致平衡模型计算,当势垒为1.73eV,势阱为1.12eV时,电池转换效率为58.4％;势垒为1.89eV,势阱为1.35eV时,电池转换效率为55.3％.     

冶炼过程的在线光谱分析

利用石英光纤、光栅光谱仪、ＣＣＤ探测器、微机组成在线光谱分析系统。测量该系统的光谱分辨率、时间响应及探测灵敏度,并对模拟炼钢过程进行在线光谱分析。     

(112)面CdTe/Cd1-yZnyTe,Hg1-xCdxTe/CdTe和CdTe/GaAs异质结的方向倾斜

用X射线双晶衍射(XDCD)法测得分子束外延(MBE)法生长的CdTe/Cd0.959Zn0.041Te(112)B异质结的倾斜角为0.2185°,而且朝［1-1-1］晶体学方向倾斜.为了获得较精确的倾斜角值,绘制了外延层和衬底衍射角的差值Δθ与绕样品表面法线旋转的角度φ之间的准正弦函数.为高分辨率透射电子显微镜(HRTEM)分析制备了MBE法生长的Hg0.535Cd0.465Te/CdTe/GaAs(1-12)B多层异质结的横截面薄膜.CdTe/GaAs异质结的HRTEM明场象表明CdTe(1-12)缓冲层相对于GaAs(1-12)衬底朝［1-11-］方向倾斜约3°,并且在Hg0.535Cd0.465Te/CdTe异质结,Hg0.535Cd0.465Te(1-12)外延膜相对于CdTe(1-12)缓冲层在［11-1］方向,即［1-11-］的反方向倾斜约1°.也分析了Hg0.535Cd0.465Te/CdTe/GaAs多层膜之间的倾斜角关系.     

砷化镓上等离子体阳极氧化膜的红外吸收光谱

GaAs的等离子体氧化在国内外已有报道.该薄膜的表面态密度约为10¹¹/cm²·eV量级,击穿场强大于10⁶V/cm.可用于MOSFET器件、半导体激光器和发光二极管的钝化膜,选择性(锌)扩散的掩蔽膜^[6,7].本文报道GaAs上等离子体阳极氧化(OPA)膜的红外吸收光谱以及该氧化膜在一定波段内对GaAs衬底的增透作用。     

硅太阳电池类金刚石增透膜的研制

用类金刚石膜制作硅太阳电池的增透膜可以明显地改善它的光谱特性，实验表明，用类金刚石薄膜制作增透膜之后，硅太阳电池的短路电流增加38％，在较大的光谱范围内响应值增大，并且在650－750nm波长范围内有最大增透效应，在650－950nm波长范围内，量子效率接近1。     

半导体GaAs-（GaAl）As多量子阱的光谱性质的研究

我们利用光致发光(PL)和激发光谱(PLE)技术研究了GaAs量子阱的光谱性质，观测到在GaAs量子阱中上转换发光，首次提出在GaAs量子阱中可能实现激光制冷，探索了光谱的发光机理。     

热针法测量材料导热系数研究

研究了可测量软性材料导热系数的热探针法,所用热探针由20匝直径为0.02mm的漆包铜丝紧密封进外径为0.3mm的不锈钢针管制成,铜丝同时起加热和测温元件作用.理论和实验研究表明,采用适当延迟测量时间可以克服因热针壁厚引起的误差.测量误差估计小于±3%.     

磁力驱动离心泵隔离套的设计

介绍了在不同的运行工况下磁力驱动离心泵隔离套的结构设计、材料选择,并给出了隔离套的设计计算公式及加工工艺.     

超低通滤波器幅频特性的微机测试

介绍采用中断方法由微计算机和D/A转换器发生低峰值系数多谐波合成信号作为超低通滤波器的输入信号,并同时经由A/D转换器采集该滤波器的输出信号.通过对滤波器输出波形进行快速富里叶变换实现对超低通滤波器幅频响应特性的快速测试.     

泵用串联式干气密封的优化设计及其性能校核

通过多目标优化理论构建了螺旋槽气膜开启力与泄漏量之比的协调函数,并利用该目标函数,通过Maple软件,对泵用串联式干气密封进行近似求解,获得螺旋槽的最佳槽形参数,获得气膜厚度2.14μm.应用Solidworks软件建立螺旋槽和气膜模型,并利用Gambit软件对模型划分网格.运用Fluent软件,在给定的工作条件下,对螺旋槽内部微间隙三维气体流场进行数值模拟,得到了速度分布、压力分布和泄漏量等数据,经计算得到最终的气膜厚度2μm,与优化气膜厚度的误差仅为6.5%.从而证明可以利用该方法对此类干气密封装置进行优化设计及性能校核.     

陶衣配方的研究及其在粗陶器上的应用

设计了适用于粗陶器的白色基础陶衣配方,并进行了烧制实验.结果表明,在950~1000℃范围烧成效果较好,陶衣生料与水的最佳配比为5∶4.此基础陶衣土可以应用于制备有色陶衣,并制备了呈色良好的紫色陶衣.