压力对固体氩中杂质钠原子吸收光谱的影响

利用等温等压系综Monte Carlo方法, 在低温下(T = 10 K)研究了压力的变化(0~2.4 GPa)对固氩掺钠体系中杂质钠原子吸收光谱的影响. 对于替代数为n_v = 1和2两种掺杂体系, 压力的增加都没有改变钠原子俘获点周围的局域对称性, 只是减小了钠氩、氩氩之间的距离, 使得体系更加致密. 但压力的增大导致了钠原子的吸收谱逐渐变宽, 峰位以及质心谱移向低能方向移动, 即出现红移. 对局域结构属于高对称俘获点n_v =1的掺杂体系, 在较低压力下, 吸收谱为高对称三体线形. 随着压力的增加, 吸收谱开始变宽并移动, 吸收谱重叠成单峰形状. 对局域结构属于低对称性俘获点n_v =2的掺杂体系, 在较低压力下, 吸收谱为单峰加双峰的吸收线形. 随着压力的增大, 单双峰之间的劈裂增大, 双峰重合成单峰形状.     

离子-原子碰撞中的符合测量技术

利用离子源产生的C、O离子与Ar原子碰撞,测量了散射离子谱和反冲离子谱,并利用符合测量获取了双电荷态分布的符合谱。根据实验参数进行了符合效率计算。该实验方法可用于微量气体元素甚至同位素的绝对含量分析,较单独的飞行时间谱更加可靠。     

中高能H~+和类氦离子及He原子碰撞中电子俘获截面的计算

用两态原子轨道展开方法研究计算了中高能Ｈ＋与类氦离子（Ｂｅ２＋，Ｂ３＋，Ｃ４＋，Ｎ５＋，Ｏ６＋）和Ｈｅ原子碰撞的电子俘获截面．结果表明在中高能区本文结果与实验较好地符合．     

逐个电子双柱衍射和势垒贯穿的Monte Carlo计算机模拟

采用便于计算的双柱形势垒代替双缝,应波恩近似的方法算出了微分散射截面,并用Monte Carlo方法实现了电子衍射条纹产生的动态模拟,随之实现了一维势垒贯穿的计算机模拟,整个过程注意了不确定关系和处理。     

离子束作用下动态靶的计算机模拟

固体中离子传输和原子碰撞级联的计算机模拟程序ＴＣＩＳ已发展起具有模拟离子 束作用下固体靶中成分动态演变的功能。本文详细介绍动态 ＴＣＩＳ模拟程序的物理模 型及计算方法，给出算例及有关问题的讨论。动态 ＴＣＩＳ可以研究离子束轰击三元靶 的复杂问题：如大剂量离子注入、择优溅射和界面混合等。     

高能核——核碰撞的灰粒子多重数,碰撞中心性和核内级联

本文用统计模型计算的灰粒子多重效分布与3.7AGeV、14.6AGeV Si 离子诱发乳胶核反应的实验数据相比较,表明靶核物质量、核内级联是灰粒子产生的重要因素,给出灰粒子多重数与碰撞中心性的强关联。     

溅射沉积温度对薄膜生长影响的计算机模拟

利用Monte Carlo方法对薄膜生长过程进行计算机模拟.模型针对粒子的沉积、吸附及粒子的扩散等过程,研究了粒子允许行走的最大步数对薄膜生长形貌的影响.结果表明:随温度升高,粒子行走步数增加,薄膜的生长经历了从分散到分形团聚的过程;在粒子行走步数越小的情况下,薄膜越易趋向于分散生长.     

中高能H^＋和类氦离子及He原子碰撞中电子俘获截面的…

用两态原子轨道展开方法研究计算了中高能Ｈ＾＋与类氦离子（Ｂｅ＾２＋，Ｂ＾３＋，Ｃ＾４＋，Ｎ＾５＋，Ｏ＾６＋）和Ｈｅ原子碰撞的电子俘获截面，结果表明在中高能区本结果与实验较好地符合。     

Cq＋离子与Ar原子碰撞反应过程中转移电离的研究

应用位置灵敏探测和飞行时间技术,测量了C^q＋（q=1,2,3）离子与心原子碰撞反应中的转移电离截面与单电子俘获截面之比,并与DuBois的He^q＋（q=1,2）与Ar的实验结果进行比较．同时在玻尔的过垒模型基础上,给出进一步的定性解释．     

电化学体系中离子扩散过程的Monte Carlo模拟

文章将电解质溶液视为三雏网格模型，在不考虑温度和离子大小（阴、阳离子视为有大小相同的理想球体）影响的恒定电场强度下，利用Monte Carlo方法模拟研究了该体系中的溶质离子扩散特性，考察了溶质离子间相互作用及溶液离子浓度对体系离子扩散系数的影响，结果表明：不考虑离子间相互作用时，溶质离子的扩散系数为常数；考虑离子间相互作用时分三种情况，当溶质离子密度小于等于0．2时，离子扩散的均方位移MSD与Monte Carlo步骤（MCS）间成直线关系；随着离子密度增大，在（0．2，0．6]范围内，离子扩散的MSD与MCS间趋于二次函数关系；当离子密度接近1．0时，离子扩散的MSD会趋于恒定．     

直流辉光放电氮原子离子的Monte Carlo模拟研究

采用氮直流辉光放电等离子体中快电子和离子（N^＋_２,N ^＋）混合的蒙特卡罗模型, 模拟研究了 e^－+ N_２___N^＋+N+2e和N ^＋_２+N_２___N^＋+N+N_２ 过程离子N^＋的产生率轴向分布随放电参数的变化规律及其轰击阴极的能量分布 . 结果表明, 两种 离解过程中氮原子离子（N^＋）的产生率均随气压和电压的增加而增大, 随 放电气体温度的升 高而降低; 但N^＋_２-N_２离解碰撞主要发生在 阴极附近. 在电压较高时, 阴极处的N^＋主要由N^＋ _２-N_２离解过程产生; 在电压较低时, N^＋ _２-N_２离解过程可忽略.     

冰晶石溶液结构的计算机模拟

用蒙特卡洛法计算机模拟研究了 2.7NaF·AlF_3系熔液结构。计算结果表明:熔液中 Al~(3+)离子的第一配位数平均为4个F~-离子,熔液中的主要质点因此是 AlF_4~-离子。此外在未分解的 AIF_6~(3-)离子中存在比较稳定的 AlF_3 由于质点间的交互作用还形成 Al_2F_7~-离子。     

晶粒长大机制的计算机模拟

利用平面三角形点阵及Ｍｏｎｔｅ Ｃａｒｌｏ方法，模拟了二维多晶粒的长大规律。对晶粒形貌与其生长动力学的分析表明，晶粒正常长大过程是按Ｍｏｎｔｅ Ｃａｒｌｏ机制进行的，淬态时的生长指数模拟值为０．４５。     

Cu薄膜生长初期的计算机模拟

基于Monte Carlo模型, 在理想基底上设置100×100的二维方形格, 利用周期性边界条件建立Cu薄膜初期生长模型, 并模拟粒子的气相沉积过程及迁移步数对薄膜生长的影响规律. 结果表明: 当沉积粒子数逐渐增加时, 基底表面的粒子团簇结构逐渐增大; 在温度不变的条件下, 随着最大迁移步数的增加, 团簇逐渐增大, 团簇数量逐渐减小, 且团簇分布逐渐稀疏; 温度升高使粒子聚集为岛状, 薄膜呈岛状生长.     

特征参数对DSMC方法模拟声场中颗粒碰撞的影响

直接从颗粒受力和运动出发,基于直接模拟蒙特卡洛(DSMC)方法建立颗粒碰撞模型,模拟声场中颗粒的碰撞过程,通过改变模拟条件,探讨DSMC方法中的特征参数(取样颗粒的数目权重、网格数目、时间步长)对颗粒碰撞率和计算时间的影响.结果表明:频率越大,颗粒容积份额变化越迅速,颗粒空间分布越不均匀;数目权重的增加对颗粒碰撞率影响较小,而对计算时间的影响显著,使其迅速减少;网格数目增加,碰撞率降低,计算时间则先迅速降低,随后在低频时基本不变,高频时略有上升.研究还发现:随着碰撞时间步长的增加,低频声场中碰撞率单调增加,高频声场中碰撞率先增加而后出现波动;碰撞时间步长的增加将引起计算时间减少,减少量在碰撞步长较小时最为明显.     

计算机模拟在数学建模中的应用

阐述了计算机模拟在数学建模中的作用,给出了蒙特卡洛方法和离散系统模拟方法实现的具体过程,并通过具体的实例分析,说明计算机模拟方法在数学建模中的有效性.     

非平衡缩聚共聚物序列分布的计算机模拟

以缩聚反应动力学和概率统计为基础，推导了非平衡共缩聚的数学模型，用ＭｏｎｔｅＣａｒｌｏ方法模拟非平衡共缩聚中共聚物的序列分布。计算了在反应过程中，两种单体不同活性官能团含量比卜随缩聚反应程度的变化关系。用 ＦＯＲＴＲＡＮ－７７语言编成的程序模拟上述序列分布．并与实验值进行了对比，结果基本一致。还讨论了这一模拟方法的特点．及其在分子设计和其它方面的应用前景     

横向磁场对阴极区电子输运参量的影响

运用改进的蒙特卡罗模拟方法, 研究了横向磁场对氦气直流辉光放电阴极区电子输运过程的影响.考虑了四种碰撞.模拟结果表明,横向磁场通过改变电子与中性粒子的碰撞速率,对电子参数产生了重要影响.     

辅助原子结构教学的CAI软件开发

以Visual Basic为开发工具,严格按照波函数计算式,编制成在Windows操作系统下运行的、可绘制波函数的角度部分和径向部分图形的辅助原子结构教学的CAI软件atomstru．