首页 | 本学科首页   官方微博 | 高级检索  
相似文献
 共查询到20条相似文献,搜索用时 15 毫秒
1.
研究了制备磷钼酸的乙醚萃取法、王水法和三氧化铝十磷酸法。设计了制备磷钼酸的一种新方法——乙醇溶解法。磷钼酸是一种重要的化学试剂。除特别标明外,一般指化合物 H_3PO_4·12M_0O_3·xH_2O,(X 从3—30)。易溶于水、醇及乙醚。易还原成钼兰。我们重复了文献上记载的制备磷钼酸的“乙醚萃取法”和“王水法”,并且调查了生产上采用的“M_0O_3 H_3PO_4法”。在总结这些方法的基础上,提出制备磷钼酸的乙醇溶解法。  相似文献   

2.
磷钼酸绿色催化合成已酸乙酯   总被引:2,自引:0,他引:2  
报道了以磷钼酸为催化剂,以无水硫酸镁为吸水剂,催化脱水合成己酸乙酯。探讨了己酸乙酯的合成条件,以及以磷钼酸作为催化剂的重复性实验。结果表明磷钼酸的催化性能良好且可多次重复使用。  相似文献   

3.
用循环伏安法、扫描电镜、光电子能谱等手段对水体系中制得的同多钼酸-聚苯胺薄膜修饰电极进行了表征,从而对同多钼酸在电极上的固定原理进行了详细讨论,结果表明同多钼酸是通过两种途径被固定在聚苯胺薄膜里而被固定在电极上.  相似文献   

4.
由Hummer's方法制备的氧化石墨烯负载磷钼酸,制备了氧化石墨烯/磷钼酸复合物,其水溶液展现出较好的溶致液晶性.透射电镜分析表明,纯氧化石墨烯呈现出透明的褶皱薄纱状形貌,氧化石墨烯/磷钼酸复合物中磷钼酸微粒均匀分布在氧化石墨烯片层中.红外光谱说明氧化石墨烯和磷钼酸之间存在较强的相互作用.所得氧化石墨烯/磷钼酸复合物在偏振光下具有明显的溶致液晶性.相比相同条件下的纯氧化石墨烯,磷钼酸的引入没有破坏氧化石墨液晶体系的介晶结构,复合物表现出更明显的明暗交织的液晶织构,旨在将多酸嵌入氧化石墨液晶体系中并为多酸和氧化石墨烯的应用开拓一个新思路.  相似文献   

5.
钼酸铅晶体是一种声光性能优异的新型功能材料,将其引入光拍法测量光速实验中,介绍了光拍法测量光速的基本原理,分析了在实验中所具有的优势以及对实验的改进。声光器件性能的优劣对光拍法测量光速实验的误差影响显著,由于钼酸铅晶体声光品质因数大,对于一定的声功率,较易获得理想的衍射效率,以此为主的声光器件能够使实验误差控制在±0.5以内,且简易,成本低,表明了钼酸铅晶体在近代物理实验中具有潜在的实用价值。  相似文献   

6.
磷钼酸和聚乙烯醇可组成固溶体,其内存在磷钼酸和聚乙烯醇的氢键缔合物。当可见及紫外光照射固溶体时,氢键缔合物中PVA仲醇基上的电子和光的电磁场相互作用,使其电子结构发生变化,同时磷钼酸也受激与聚乙烯醇在酸介质中发生光氧化还原反应,生成了含有三种价态Mo (Ⅵ,Ⅴ,Ⅳ)的磷钼蓝而显蓝灰色,它不同于磷钼酸和某些小分子醇类在一定条件下的光氧化还原反应。后者的反应是可逆的,而前者的光氧化还原反应是不可逆的,它发生不可逆的光致变色。  相似文献   

7.
氢氧化钠分解钼酸铅矿的热力学分析   总被引:4,自引:0,他引:4  
针对钼酸铅矿的氢氧化钠分解过程,根据电荷平衡和质量平衡的原理,运用热力学数据绘制25 ℃时Pb-Mo-H2O系组分的浓度对数-pH图.利用热力学平衡图对氢氧化钠分解钼酸铅矿的工艺条件进行讨论.研究结果表明:整个pH值范围内可分为3个物质稳定区,即pH<6.17时为H2MoO4的稳定区;6.17<pH<11时为钼酸铅的稳定区;pH>11时为Pb(OH)2的稳定区,在该范围内随着pH值升高,当Pb(OH)2达到过饱和时,溶液中开始析出Pb(OH)2沉淀,从而实现钼酸铅的碱分解过程.通过对Pb-Mo-H2O系的热力学分析,苛性钠分解彩钼铅矿在一定的pH值下是可行的,但在碱分解过程中Pb2 与羟基形成了配合物,主要是以的形式存在而大量进入溶液,因此,尚需进一步除铅.  相似文献   

8.
由于钼酸铅晶体具有优异的机械特性、光学特性及较高的声光品质因数,故采用离子束辅助沉积技术,在钼酸铅晶体表面制备了宽带红外增透膜。文章简单介绍了镀膜设备的改造特点,并对整个工艺过程进行了分析研究。试验表明所镀膜层的光学特性及膜层品质大大提高,在光纤通信领域具有广阔的应用前景。  相似文献   

9.
采用水热法制备了可见光催化剂钼酸银,并利用X射线衍射、场发射扫描电镜、高分辨透射电镜等技术对制备的样品进行了表征。以罗丹明B(Rh B)为模拟污染物,对钼酸银的可见光光催化性能进行了分析。分析结果表明:当水热温度为120℃和140℃时,所得的钼酸银为Ag_6Mo_(10)O_(33),形貌分别为纳米棒和纳米线;水热温度为180℃时,所得的钼酸银为Ag_2Mo_2O_7,形貌为表面光滑的多面体。其中,具有纳米线状结构的Ag_6Mo_(10)O_(33)具有最佳的可见光催化性能,在可见光下照射60 min,Rh B的降解率可达94.4%。  相似文献   

10.
本文研究了各种多钼酸钾合成的过程和产物,以及各助熔剂体系在不同温度下的挥发速率;求得反应速率常数,确定在高温下K_2Mo_3O_(10)和K_2Mo_4O_(13)的分解反应为零级反应,其活化能分别为130.8和191.5KJ/mole。并研究了各多钼酸钾助熔剂体系对NAB晶体生长的影响,通过比较,认为以K_2Mo_3O_(10)为主的助熔剂体系为多钼酸钾系列中生长NAB晶体最好的助熔剂体系。  相似文献   

11.
12-磷钼酸对苯乙烯自由基阻聚反应动力学影响的研究   总被引:5,自引:0,他引:5  
用膨胀计法研究了12-磷钼酸的自由基阻聚反应动力学,实验证明,在苯乙烯自由基聚合过程中12-磷钼酸确实抑制了聚合反应速率,动力学数据表明,苯忆烯自由基聚合反应速率的改变值与12-磷钼酸浓度的0.16次幂成正比。  相似文献   

12.
采用快速高效的超声化学法合成一种纳米片状的多金属氧酸盐(碱式钼酸铜).利用X-射线衍射仪(XRD)、透射电子显微镜(TEM)、傅里叶红外光谱仪(FT-IR)等分析测试手段对所得产物的结构和形貌进行表征.并通过吸附-光催化联合作用研究了碱式钼酸铜对刚果红(CR)的降解效果.结果表明纳米片状的碱式钼酸铜对CR有很好的降解效率.  相似文献   

13.
改进型过氧钼酸法制备无定形MoO3薄膜   总被引:3,自引:0,他引:3  
通过金属钼粉与H2O2反应制得过氧钼酸溶胶液后,减压蒸馏除去过氧钼酸溶液中的溶剂水和过量的H2O2,再加入无水乙醇作为溶剂,采用浸泽一提拉法成功地在玻璃表面制备了平整均匀的无定形MoO3薄膜.并通过热分析和X射线衍射分析等对MoO3薄膜的制备机理进行了探讨.  相似文献   

14.
通过循环伏安扫描法制备了磷钼酸修饰的Pd电极,考察了该电极对H2O2电还原的催化性能.研究发现,磷钼酸在Pd电极上发生了吸附,经修饰的Pd电极的催化性能明显高于未修饰Pd电极.  相似文献   

15.
通过水热合成法及微波辅助水热法制备出层状钼酸铋锂离子电池负极材料,利用X射线衍射、扫描电子显微镜、循环伏安及交流阻抗测试等对样品进行了形貌表征及电化学性能测试,并考察了其在电池中的循环稳定性.相比水热法,微波辅助水热法合成的钼酸铋电荷转移电阻减小且容量提升,在电流密度为15 mA/g时容量可达674 mAh/g,且循环后库仑效率接近90%.  相似文献   

16.
通过高电位过氧化活化玻碳电极的方法制得了同多钼酸修饰电极,结果表明该修饰电极保持了同多钼酸的电化学活性,并且有良好的稳定性。所制得的修饰电极对酸性水溶液中的地过氧化氢,氯酸钾,亚硝酸钾具有良好的电化学催化活性,催化过程的EC平行催化机理。  相似文献   

17.
通过静态挂片法研究了钼酸锂与苯并三氮唑对碳钢在溴化锂溶液中缓蚀作用的协同效应,并通过极化曲线评价了钼酸锂与苯并三氮唑复配的缓蚀作用,实验表明钼酸锂与苯并三氮唑对碳钢在溴化锂溶液中的缓蚀作用有一定的协同效应,添加0.02mol/L钼酸锂和0.02mol/L苯并三氮唑能显著抑制溴化锂溶液对碳钢的腐蚀。通过分析极化曲线、俄歇能谱及扫描电镜,可能的缓蚀机理是在碳钢表面形成一层钼酸锂、三氧化钼、铁-苯并三氮唑和三氧化二铁等组成的钝化膜,阻滞阳极反应从而起到缓蚀作用。  相似文献   

18.
研究了抗坏血酸与同多钼酸在浓度为0.24mol/L的硫酸介质中形成钼蓝的反应,抗坏血酸的浓度0-12mg/L范围内符合朗伯比尔定律,相关系数r=0.9997。加标回收率在98%-102%之间,RSD≤0.28%。用药物中抗坏血酸的测定,结果满意。  相似文献   

19.
研究了抗坏血酸与同多钼酸在浓度为0.24mol/L的硫酸介质中形成钼蓝的反应.抗坏血酸的浓度0~12mg/L范围内符合朗伯比尔定律,相关系数r=0.9997.加标回收率在98%~102%之间,RSD≤0.28%.用于药物中抗坏血酸的测定,结果满意.  相似文献   

20.
制备了Dawson型磷钼酸H6[P2Mo18O62](P2V0和钒修饰Dawson型磷钼酸H7[P2Mo17VO62](P2V1),用傅里叶变换红外光谱和X射线粉晶衍射进行了表征.以环戊醇为反应底物,用正交实验考察了催化剂用量,反应温度,反应时间和30%H2O2用量各因素对氧化反应的影响,并在优化条件下探索了对几种醇的催化氧化.H7[P2Mo17VO62]催化H2O2氧化苯甲醇合成苯甲酸最佳的条件为;H7[P2Mo17VO62];苯甲醇;H2O2=1;2133;9067(摩尔比),反应温度85℃,反应时间24h,苯甲醇的转化率达91.84%苯甲酸的选择性达57.23 %.  相似文献   

设为首页 | 免责声明 | 关于勤云 | 加入收藏

Copyright©北京勤云科技发展有限公司  京ICP备09084417号