| 缓冲气体对激光烧蚀制备掺 Er 纳米 Si 晶薄膜结构特性的影响 |
| |
| 引用本文： | 周阳,刘云山,褚立志,段平光,邓泽超,庞学霞,王英龙. 缓冲气体对激光烧蚀制备掺 Er 纳米 Si 晶薄膜结构特性的影响[J]. 河北大学学报(自然科学版), 2007, 27(2): 139-142. DOI: 10.3969/j.issn.1000-1565.2007.02.010 |
| |
| 作者姓名： | 周阳 刘云山 褚立志 段平光 邓泽超 庞学霞 王英龙 |
| |
| 作者单位： | 河北大学,物理科学与技术学院,河北,保定,071002;河北大学,物理科学与技术学院,河北,保定,071002;河北大学,物理科学与技术学院,河北,保定,071002;河北大学,物理科学与技术学院,河北,保定,071002;河北大学,物理科学与技术学院,河北,保定,071002;河北大学,物理科学与技术学院,河北,保定,071002;河北大学,物理科学与技术学院,河北,保定,071002 |
| |
| 基金项目： | 河北省自然科学基金资 , 河北大学校科研和教改项目 |
| |
| 摘 要： | 采用 XeCl 脉冲准分子激光器,保持激光脉冲比为1:3,分时烧蚀Er靶和高阻抗单晶Si靶,在10 Pa的Ne气环境下沉积了掺Er非晶Si薄膜. 在氮气保护下,分别在1 000℃,1 050 ℃和1 100℃温度下进行30 min热退火处理. 对所得样品的Raman谱测量证实,随着退火温度的升高,薄膜的晶化程度提高;利用扫描电子显微镜观测了所制备的掺Er纳米Si晶薄膜的表面形貌,并与相同实验参数、真空环境下烧蚀并经热退火的结果进行了比较. 结果表明,Ne气的引入,使形成轮廓明显的掺Er纳米Si晶粒的退火温度降低,有利于尺寸均匀的晶粒的形成.
|
| 关 键 词： | 掺Er纳米Si晶粒 脉冲激光烧蚀 Raman谱 表面形貌 |
| 文章编号： | 1000-1565(2007)02-0139-04 |
| 修稿时间： | 2005-12-20 |
Influence of the Ambient Gas on the Microstructural Properties of Er-doped Nanocrystalline Si Films Fabricated by Pulsed Laser Ablation |
| |
| ZHOU Yang,LIU Yun-shan,CHU Li-zhi,DUAN Ping-guang,DENG Ze-chao,PANG Xue-xia,WANG Ying-long. Influence of the Ambient Gas on the Microstructural Properties of Er-doped Nanocrystalline Si Films Fabricated by Pulsed Laser Ablation[J]. Journal of Hebei University (Natural Science Edition), 2007, 27(2): 139-142. DOI: 10.3969/j.issn.1000-1565.2007.02.010 |
| |
| Authors: | ZHOU Yang LIU Yun-shan CHU Li-zhi DUAN Ping-guang DENG Ze-chao PANG Xue-xia WANG Ying-long |
| |
| Abstract: | Ablating alternately Er and Si targets with the pulse-number-ratio of 1:3 by a XeCl excimer laser,Er-doped amorphous Si films were prepared in Ne gas of 10 Pa or vacuum.The as-formed films,being annealed for 30 minutes at constant temperature of 1 000 ℃,1 050 ℃ or 1 100 ℃ in N_2 gas,were converted into Er-doped nanocrystalline Si films,which were confirmed by the position of Raman spectra peak.Scanning electron microscopy images show that Ne gas,compared to vacuum,induces more uniform-sized Er-doped nanocrystalline Si nanoparticles and lower crystallizing temperature. |
| |
| Keywords: | Er-doped nanocrystalline Si nanoparticle pulsed laser ablation Raman spectrum morphology |
| 本文献已被 CNKI 万方数据 等数据库收录！ |
| 点击此处可从《河北大学学报(自然科学版)》浏览原始摘要信息 |
|
点击此处可从《河北大学学报(自然科学版)》下载全文 |
|
