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| Si衬底GaN基功率型LED制造技术开发 | |
| 作者单位： | |
| 摘 要： | 1课题目的
本课题以发展具有自主知识产权的Si衬底外延生长、芯片制造及功率型LED器件封装核心技术为目的。解决Si衬底GaN基LED外延生长、高效功率型GaN基LED芯片制造及封装技术。 |
| 关 键 词： | GaN基LED 功率型LED Si衬底 芯片制造 技术开发 自主知识产权 外延生长 器件封装 |
| 本文献已被 维普 万方数据 等数据库收录！ | |
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