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| Ⅱ-Ⅴ族半导体纳米晶的研究进展 | |
| 引用本文： | 苗世顶,姚运金,于少明.Ⅱ-Ⅴ族半导体纳米晶的研究进展[J].中国科学:信息科学,2012(2):123-144. |
| 作者姓名： | 苗世顶 姚运金 于少明 |
| 作者单位： | 合肥工业大学化学工程学院,合肥230009 |
| 基金项目： | 合肥工业大学“黄山学者”人才专项基金（批准号：407-037008）和合肥工业大学青年创新基金（批准号：2011HGRJ0004）资助项目 |
| 摘 要： | Ⅱ-Ⅴ族半导体是由第二副族元素(Zn,Cd)与第五主族元素(N,P,As等)形成的化合物.Ⅱ-Ⅴ半导体纳米晶(亦称量子点)具有禁带窄、Bohr半径大、电子有效质量小、通过改变量子点尺寸,能够实现宽波段发光,较Ⅱ-Ⅵ材料,其具有更多的共价键成分,性质稳定等优点,是应用于太阳能电池、生物标记及LED的理想材料.本文综述了近年来在Ⅱ-Ⅴ半导体纳米晶的研究中取得的进展,侧重介绍量子点的合成、表征、吸收光谱、光致发光谱及荧光寿命测定等领域内的最新成果,并对其发展方向进行了展望. |
| 关 键 词： | Ⅱ-Ⅴ族半导体 纳米晶 光谱学性质 |
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