| 多层电路板的深层充电研究 |
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| 引用本文： | 王建昭,陈鸿飞,于向前,邹鸿,施伟红.多层电路板的深层充电研究[J].中国科学:信息科学,2015(3):330-337. |
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| 作者姓名： | 王建昭 陈鸿飞 于向前 邹鸿 施伟红 |
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| 作者单位： | 北京大学空间物理与应用技术研究所 |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金(批准号:41374181);国家重大科学仪器专项(批准号:2012YQ03014207)资助项目 |
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| 摘 要： | 以欧空局的FLUMIC2模型为输入电子能谱,基于Monte Carlo方法和辐射诱导电导率模型进行多层电路板充电分析,可模拟地球同步轨道上有2 mm铝层屏蔽时的多层FR4印刷电路板的深层充电过程,得到电场和电势随介质深度的变化.研究发现与双面接地电路板相比较,电路板四层铺铜接地内部最大充电电场减少54%,有效地减小介质内部电场,降低深层放电风险.充电时间常数和电介质的物理特性有关而与电路板分层情况无关.分析各接地层的电流,两层电路板为90~150 p A m?2,四层电路板为10~100 p A m?2.
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| 关 键 词： | 深层充电 辐射诱导电导率 Geant4 Monte Carlo 方法 地球同步轨道 |
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