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| 进入纳米时代的CMOS设计 | |
| 引用本文： | 甘学温,黄爱华,黄如,张兴.进入纳米时代的CMOS设计[J].世界科技研究与发展,2000,22(3):48-52. |
| 作者姓名： | 甘学温 黄爱华 黄如 张兴 |
| 作者单位： | 北京大学微电子学研究所,北京,100871 |
| 基金项目： | 摩托罗拉中国技术中心资助项目. |
| 摘 要： | 本论文着重论述未来ＣＭＯＳ进入纳米尺寸的关键挑战，如电源电压和阈值电压减小、短沟效应、量子效应、杂质数起伏以及互边线延迟等影响。分析了纳米ＣＭＯＳ器件结构的设计，讨论了用于纳米尺寸的新型器件结构，包括ＳＯＩ ＣＭＯＳ、册和环栅ＭＯＳＦＥＴ、凹陷沟道ＭＯＳＦＥＴ、动态阈值ＭＯＳＦＥＴ以及低温ＣＭＯＳ，它们可能把我们带到硅器件设计的最远极限。 |
| 关 键 词： | CMOS SOI器件 纸温 CMOS纳米技术 设计 |
CMOS Technology for the Nanometer Regime |
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