| Sb2Te3纳米薄膜的ECALE法制备 |
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| 引用本文： | 郜鲜辉,杨君友,朱文,侯杰,鲍恩前,樊希安,段兴凯.Sb2Te3纳米薄膜的ECALE法制备[J].中国科学(E辑),2006,36(11):1273-1282. |
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| 作者姓名： | 郜鲜辉 杨君友 朱文 侯杰 鲍恩前 樊希安 段兴凯 |
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| 作者单位： | 华中科技大学模具技术国家重点实验室,武汉,430074 |
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| 基金项目： | 国家基础研究重大项目前期研究项目;国家自然科学基金;华中科技大学校科研和教改项目 |
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| 摘 要： | 研究了利用电化学原子层外延法(electrochemical atomic layer epitaxy, ECALE)在Pt电极上生长Sb2Te3化合物半导体薄膜热电材料的过程. 采用循环伏安扫描分别研究了Te和Sb在Pt衬底上以及在覆盖了一层元素之上的电沉积特性, 在此基础上使用自动沉积系统交替电化学沉积了400个Te和Sb原子层. 采用XRD, FESEM和FTIR等多种分析测试手段对沉积薄膜的结构、形貌、禁带 宽等进行了表征. XRD结果表明, 沉积物是Sb2Te3化合物, 与EDX定量分析和 电量计算结果吻合; FESEM对薄膜表面及断面形貌检测表明沉积颗粒排列紧 密、大小均匀, 平均粒径约为20 nm, 薄膜均匀平坦, 膜厚约190 nm; 由于沉积薄膜的纳米结构, FTIR吸收谱出现蓝移, 测得Sb2Te3薄膜禁带宽为0.42 eV.
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| 关 键 词： | 电化学原子层外延(ECALE) 热电材料 纳米薄膜 Sb2Te3 |
| 收稿时间： | 2005-10-17 |
| 修稿时间： | 2005-10-172006-04-03 |
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