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| 薄膜电致发光器件中电子输运的瞬态过程 | |
| 引用本文： | 赵辉,王永生,徐征,徐叙.薄膜电致发光器件中电子输运的瞬态过程[J].中国科学(E辑),1999,29(2):174-179. |
| 作者姓名： | 赵辉 王永生 徐征 徐叙 |
| 作者单位： | 北方交通大学光电子技术研究所,北京100044 |
| 基金项目： | 国家“八六三”高科技计划资助项目，国家教育委员会博士点基金资助项目 |
| 摘 要： | 利用ＭｏｎｔｅＣａｒｌｏ方法，研究了薄膜电致发光器件中电子输运的瞬态过程，得出了电子平均动能、，平均漂移速度及能谷转移过程随时间的变化规律，电子输运的瞬态时间约为２００ｆｓ，瞬态长度约为３０－４０ｎｍ。界面发射出的电子平均劝能只影响瞬态过程，对稳态的动能无影响。进而提出了死层现象是由于电子输运的瞬态性质形成的，是这类器件的本征性的特点，并对漂移速度尖峰的形成原因给出了新的解释。 |
| 关 键 词： | 电子输运 瞬态过程 TFELD 电致发光器件 |
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