| 增强型AIGaN／GaN槽栅HEMT研制与特性分析 |
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| 引用本文： | 郝跃,王冲,倪金玉,冯倩,张进城,毛维.增强型AIGaN／GaN槽栅HEMT研制与特性分析[J].中国科学(E辑),2009,39(1):119-123. |
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| 作者姓名： | 郝跃 王冲 倪金玉 冯倩 张进城 毛维 |
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| 作者单位： | 西安电子科技大学微电子研究所;宽禁带半导体材料与器件重点实验室; |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金资助项目(批准号:60736033) |
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| 摘 要： | 成功研制出蓝宝石衬底的槽栅增强型A1GaN／GaN HEMT．栅长1μm，源漏间距4μm，槽深10nm的器件在1．5V栅压下饱和电流达到233mA/mm，最大跨导210mS／mm，阈值电压为0．12V，器件在500℃N2气氛中5min退火后阈值电压提高到0．53V．深入研究发现，当器件槽深15nm时，相比槽深10nm器件饱和电流和跨导有所减小，但阈值电压从0．12V提高到0．47V．利用不同刻蚀深度A1GaN／GaN异质结的C-V特性，深入研究了阈值电压、栅控能力与刻蚀深度的关系．
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| 关 键 词： | 增强型高电子迁移率晶体管 AlGaN/GaN 槽栅 阈值电压 |
| 收稿时间： | 2007-11-15 |
| 修稿时间： | 2008-03-20 |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | nullzz |
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