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| C面蓝宝石上单一取向γ-LiAlO2层的生长研究 | |
| 引用本文： | 李抒智,杨卫桥,周圣明,徐军.C面蓝宝石上单一取向γ-LiAlO2层的生长研究[J].中国科学(E辑),2005,35(3):249-253. |
| 作者姓名： | 李抒智 杨卫桥 周圣明 徐军 |
| 作者单位： | 中国科学院上海光学精密机械研究所,上海,201800 |
| 摘 要： | 用气相传输平衡技术(VTE)在(0001)蓝宝石衬底上制备了单相的γ-LiAlO2薄层. X射线衍射表明, 在适当的温度(1050~1100℃)条件下, 此γ-LiAlO2薄层为高度100]取向, 并通过扫描电子显微镜和透射光谱, 分析了影响薄膜质量的因素. 这一实验结果意味着有望通过VTE技术制备用于GaN基器件外延生长的γ-LiAlO2(100)//Al2O3(0001)复合衬底. |
| 关 键 词： | 复合衬底 气相传输平衡技术 γ-LiAlO2 |
| 收稿时间： | 2004-05-18 |
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