| 配位多面体生长机理模型与晶体的生长习性 |
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| 引用本文： | 李汶军,施尔畏,殷之文.配位多面体生长机理模型与晶体的生长习性[J].中国科学(E辑),2001,31(6):487-495. |
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| 作者姓名： | 李汶军 施尔畏 殷之文 |
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| 作者单位： | 中国科学院上海硅酸盐研究所, |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金资助项目（批准号:59772002,59832080） |
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| 摘 要： | 从阴、阳离子在界面上互相配位的角度介绍一种新的生长机理模型——配位多面体生长机理模型. 指出了生长基元进入晶格的驱动力为离子之间的静电引力，其相对大小由界面上的离子络合母相中一个离子后的静电键强近似测定.讨论了NaCl，ZnS，CaF2和CsI晶体的生长习性，提出了一种新的生长习性规则. 即当晶体的生长速度由台阶产生速度决定时，晶体的生长习性与晶体结构中配位能力最小的离子在界面上的配位数有关，离子在界面上的配位数越小，该晶面的生长速度越快. 当晶体生长依靠台阶移动速度时，晶体的生长习性与晶体结构中配位能力最小的离子在界面上的密度有关，在界面上离子的密度越小，该晶面的生长速度越快.
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| 关 键 词： | 生长习性 水热法 生长机理 |
| 收稿时间： | 2000-07-05 |
| 修稿时间： | 2000-11-16 |
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