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B-N共掺p型ZnO薄膜的制备及性质研究
引用本文:隋瑛锐,姚斌,杨景海.B-N共掺p型ZnO薄膜的制备及性质研究[J].松辽学刊,2010,31(1):20-22.
作者姓名:隋瑛锐  姚斌  杨景海
作者单位:[1]吉林师范大学物理学院,吉林四平136000 [2]吉林大学物理学院,吉林长春130021
基金项目:国家自然科学基金项目 
摘    要:利用射频磁控溅射技术用N2和02作为溅射气体在石英沉底上制备了B-N共掺的P型ZnO薄膜.Hall测量结果表明,室温电阻率、载流子浓度、迁移率分别为2.3D.cm,1.2×10^17cm^-3,11cm^2/Vs.制备了ZnO基同质p-n结,研究了它们的I—V特性.探讨了B—N共掺的P型ZnO薄膜低温光致发光的微观机制.同时阐明了B—N共掺的P型ZnO薄膜的导电机制.

关 键 词:射频磁控溅射  ZnO薄膜  B-N共掺

Fabrication and Properties of B-N Codoped p-type ZnO Thin Films
SUI Ying-rui,YAO Bin,YANG Jing-hai.Fabrication and Properties of B-N Codoped p-type ZnO Thin Films[J].Songliao Journal (Natural Science Edition),2010,31(1):20-22.
Authors:SUI Ying-rui  YAO Bin  YANG Jing-hai
Institution:SUI Ying-rui1,YAO Bin2,YANG Jing-hai1(1.College of Physics,Jinlin Normal University,Siping 136000,China,2.College of Physics,Jilin University,Changchun 130021,China)
Abstract:
Keywords:magnetron sputtering  ZnO film  B-N codoped  
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