| 利用半导体InGaN/GaN量子阱的高效太阳电池 |
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| 引用本文： | 田燕.利用半导体InGaN/GaN量子阱的高效太阳电池[J].海南师范大学学报(自然科学版),2013,26(2). |
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| 作者姓名： | 田燕 |
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| 作者单位： | 宁夏大学 物理电气信息学院,宁夏 银川,750004 |
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| 摘 要： | 在简述了量子结构太阳电池的发展及研究现状的基础上,从量子结构太阳电池的结构模型出发,用第一性原理来计算极限效率,并根据Shockley-Queisser极限和Pin结的细致平衡原理,对InGaN量子结构太阳电池的极限效率、光学性质和电学性质进行了相关的理论分析和计算,细致平衡模型计算,当势垒为1.73eV,势阱为1.12eV时,电池转换效率为58.4％；势垒为1.89eV,势阱为1.35eV时,电池转换效率为55.3％.
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| 关 键 词： | 太阳电池 量子结构 极限效率 量子阱 |
The Efficient Solar Cell Using of the Semiconductor InGaN/GaN Quantum Well |
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| TIAN Yan.The Efficient Solar Cell Using of the Semiconductor InGaN/GaN Quantum Well[J].Journal of Hainan Normal University:Natural Science,2013,26(2). |
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| Authors: | TIAN Yan |
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