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Ca2Ge电子结构和光学性质的研究
引用本文:杨创华.Ca2Ge电子结构和光学性质的研究[J].海南师范大学学报(自然科学版),2009,22(4):403-407.
作者姓名:杨创华
作者单位:陕西理工学院,电工电子实验中心,陕西,汉中,723003
基金项目:国家自然科学基金项目(60766002):教育部博士点专项科研基金项目 
摘    要:采用第一性原理赝势平面波方法系统地计算了正交结构Ca2Ge能带、态密度、介电函数、复折射率、吸收系数.计算结果表明正交结构的Ca2Ge是典型的直接带隙半导体,带隙值为0.318 6 eV,其价带由Ge的3p、3s态电子构成,导带由Ca的3p、3s态电子构成,并且光学性质在3个方向上显示出各向异性.从能带和态密度的计算结果判断出Ca2Ge的光学性质主要由Ge的3p态电子向Ca的3d态的带间跃迁所决定.

关 键 词:第一性原理计算  电子结构  光学性质

Study on the Electronic Structure and Optical Properties of Ca2Ge
YANG Chuanghua.Study on the Electronic Structure and Optical Properties of Ca2Ge[J].Journal of Hainan Normal University:Natural Science,2009,22(4):403-407.
Authors:YANG Chuanghua
Abstract:
Keywords:Ca2Ge
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