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Photo-Fenton高级氧化技术处理土霉素废水的研究
引用本文:苟世霞,王春荣,于晓华,田盛,马友千.Photo-Fenton高级氧化技术处理土霉素废水的研究[J].甘肃科学学报,2013(3):43-46.
作者姓名:苟世霞  王春荣  于晓华  田盛  马友千
作者单位:中国矿业大学(北京)化学与环境工程学院;北京交通大学土木与建筑工程学院;哈尔滨辰能工大环保科技股份有限公司
基金项目:国家自然科学基金项目(51078023);北京市自然科学基金(8122033);内蒙古科技厅科学引导基金(2010)
摘    要:以内蒙某土霉素制药厂的二级出水为研究对象(CODcr约为400mg/L),采用UV254/Fenton高级氧化技术对其进行深度处理.研究了光强、pH值、H2O2的投加量以及H2O2与Fe2+的摩尔比值对CODcr去除率的影响.结果表明:处理土霉素废水的最佳条件是光强为850μw/cm2,废水初始pH为3,H2O2与Fe2+的摩尔比值为1∶1,H2O2的投加量为400mg/L,反应时间为60min,此时CODcr为113.6mg/L,去除率为71.6%.

关 键 词:土霉素废水  Fenton试剂  UV254
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