| 全桥逆变电路中IGBT电压浪涌产生的机理分析 |
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| 引用本文： | 王娟,朱晓华,田松亚,孙烨.全桥逆变电路中IGBT电压浪涌产生的机理分析[J].河海大学常州分校学报,2006,20(2):57-60. |
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| 作者姓名： | 王娟 朱晓华 田松亚 孙烨 |
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| 作者单位： | 1. 河海大学,计算机及信息工程学院,江苏,常州,213022
2. 河海大学,机电工程学院,江苏,常州,213022 |
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| 摘 要： | 通过对全桥逆变电路工作过程的分析,认为高频变压器中的漏感、吸收回路中的电感,以及续流二极管在IGBT关断瞬间不能及时导通续流是绝缘栅双极型晶体管IGBT电压产生浪涌的根本原因;指出在保护电路中选取适当的电阻和电容值,减小变压器漏感,降低吸收回路电感是控制IGBT电压浪涌的有效方法;最后给出的实验验证了所提方法的正确性.
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| 关 键 词： | IGBT 硬开关 逆变 浪涌 |
| 文章编号： | 1009-1130(2006)02-0057-04 |
| 修稿时间： | 2006年2月22日 |
Mechanism Analysis of Voltage Surge on IGBT in Bridge Inverter Main Circuit |
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| WANG Juan,ZHU Xiao-hua,TIAN Song-ya,SUN Ye.Mechanism Analysis of Voltage Surge on IGBT in Bridge Inverter Main Circuit[J].Journal of Hohai University Changzhou,2006,20(2):57-60. |
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| Authors: | WANG Juan ZHU Xiao-hua TIAN Song-ya SUN Ye |
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| Abstract: | The working process of the bridge inverter main circuit is analyzed in the paper.The voltage surge of IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)is caused by the leakage of high frequency transformer,the inductance of absorption circuit,and that FWD(Freewheeling Diodes)can be delayed when IGBT switches off.The proper value of resistance and capacitance of absorption circuit,little leakage of high frequency transformer,and the less inductance of absorption circuit are the effective solutions in suppressing the voltage surge of IGBT. |
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| Keywords: | IGBT hard-switching inverter surge |
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