| 电离辐射效应对铁电薄膜畴结构影响模拟 |
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| 引用本文： | 谭鹏飞,李波,王金斌,钟向丽,郭红霞,王芳.电离辐射效应对铁电薄膜畴结构影响模拟[J].湘潭大学自然科学学报,2019(4):30-39. |
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| 作者姓名： | 谭鹏飞 李波 王金斌 钟向丽 郭红霞 王芳 |
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| 摘 要： | 运用蒙特卡洛方法计算电离辐射对铁电存储器(MFIS型铁电场效应晶体管)的损伤情况,再结合相场方法,建立了MFIS型铁电场效应晶体管相场模型.考虑电离辐射效应对场效应晶体管中铁电薄膜与电极以及绝缘体存在界面效应对存储器中铁电薄膜畴结构的影响.探究从畴结构的角度直观分析电离辐射效应对存储器损伤的可能原因.证实了界面厚度对BaTiO_3(BTO)铁电薄膜的畴结构会产生一定的影响;界面厚度的增加会使90°畴结构发生移动,主要为畴壁的移动,主要原因是界面处的极化小于内部,以及界面处的电势与内部形成的电势差,这些都会引起畴壁的移动,畴壁的移动以及畴壁数量减少,会减少体系的畴壁能,从而降低总体的能量.
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| 关 键 词： | 电离辐射 铁电存储器 相场法 90°畴结构 |
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