|
|||||
|
|
| 掺杂CaF2与SrF2中Ce3+离子晶场能级的计算 | |
| 引用本文： | 杨国,张国营,夏往所,魏明,高娇.掺杂CaF2与SrF2中Ce3+离子晶场能级的计算[J].徐州师范大学学报(自然科学版),2009,27(3):49-51. |
| 作者姓名： | 杨国 张国营 夏往所 魏明 高娇 |
| 作者单位： | 中国矿业大学,理学院,江苏,徐州,221008 |
| 基金项目： | 中国矿业大学科技基金资助项目 |
| 摘 要： | 在点电荷模型基础上，考虑屏蔽效应以及电子云膨胀效应，计算了掺杂的CaF2与SrF2晶体中Ce^3＋离子的晶场能级，计算结果较前人结果有较大改进，绝大部分能级与实验值吻合较好．研究表明，Ce^3＋离子4f电子云膨胀效应和5s，5p电子壳层屏蔽效应在CaF2和SrF2中都不能忽略． |
| 关 键 词： | 电子云膨胀 屏蔽效应 氟化钙 氟化锶 晶场能级 |
Calculation of the energy levels of Ce3+ ions in CaF2 and SrF2 |
|
| Abstract: | |
| Keywords: | |
| 本文献已被 维普 万方数据 等数据库收录！ | |