| 射频功率对硼碳氮薄膜的组分和厚度的影响 |
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| 引用本文： | 王玉新,郑亚茹,宋哲,冯克成.射频功率对硼碳氮薄膜的组分和厚度的影响[J].辽宁师范大学学报(自然科学版),2008,31(2):155-157. |
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| 作者姓名： | 王玉新 郑亚茹 宋哲 冯克成 |
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| 作者单位： | 1. 辽宁师范大学,物理与电子技术学院,辽宁,大连,116029
2. 长春理工大学,理学院,吉林,长春,130022 |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金，辽宁省大连市科技计划 |
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| 摘 要： | 利用射频磁控溅射方法以不同的射频功率(80～130 W)在硅衬底上制备出一组硼碳氮(BCN)薄膜.傅里叶红外吸收光谱(FTIR)和X射线光电子能谱(XPS)测量发现样品的组成原子之间均实现了原子级化合.射频功率对薄膜的组分和厚度有很大影响,二者随射频功率的增大而呈规律性变化.B、N元素含量高、C元素含量低的硼碳氮薄膜较厚.并且,射频功率为110 W条件下制备的硼碳氮薄膜中C元素含量最低,薄膜最厚.
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| 关 键 词： | 射频磁控溅射 硼碳氮薄膜 X射线光电子能谱 射频功率 |
Influence of sputtering power on composition and thickness of boron carbon nitride thin films |
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| WANG Yu-xin,ZHENG Ya-ru,SONG Zhe,FENG Ke-cheng.Influence of sputtering power on composition and thickness of boron carbon nitride thin films[J].Journal of Liaoning Normal University(Natural Science Edition),2008,31(2):155-157. |
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| Authors: | WANG Yu-xin ZHENG Ya-ru SONG Zhe FENG Ke-cheng |
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