| 含纳米硅氧化硅薄膜的多峰光致发光研究 |
| |
| 引用本文： | 陈全海,马书懿.含纳米硅氧化硅薄膜的多峰光致发光研究[J].西北师范大学学报,2006,42(6):40-43. |
| |
| 作者姓名： | 陈全海 马书懿 |
| |
| 作者单位： | 西北师范大学物理与电子工程学院 甘肃兰州730070 |
| |
| 基金项目： | 教育部科学技术研究重点项目;甘肃省教育厅科研项目;甘肃省重点实验室基金 |
| |
| 摘 要： | 采用γ射线辐照含纳米硅的氧化硅薄膜,测量了其辐照前后的光致发光谱.用Gauss函数对各发光谱进行了拟合,结果表明各光谱都是三峰结构.γ辐照后,除原有的2个位于800 nm(1.55 eV)和710 nm(1.75 eV)的发光峰峰位几乎未变之外,位于640 nm(1.94 eV)的肩峰被一个很强的580 nm(2.14 eV)的新峰遮盖.根据实验现象与光谱分析,可以认为含纳米硅的氧化硅薄膜的光发射主要来自电子-空穴对在SiO2层发光中心上的辐射复合.
|
| 关 键 词： | γ射线辐照 光致发光 发光中心 高斯峰 |
| 文章编号： | 1001-988X（2006）06-0040-04 |
| 收稿时间： | 2006-07-26 |
| 修稿时间： | 2006-09-15 |
Study on multi-ply photoluminescence of nano-Si-SiO2 thin films |
| |
| CHEN Quan-hai,MA Shu-yi.Study on multi-ply photoluminescence of nano-Si-SiO2 thin films[J].Journal of Northwest Normal University Natural Science (Bimonthly),2006,42(6):40-43. |
| |
| Authors: | CHEN Quan-hai MA Shu-yi |
| |
| Institution: | College of Physics and Electronic Engineering, Northwest Normal University, Lanzhou 730070, Gansu, China |
| |
| Abstract: | |
| |
| Keywords: | |
| 本文献已被 CNKI 维普 万方数据 等数据库收录！ |
