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超高多孔度多孔硅的制备和特性研究
引用本文:马书懿.超高多孔度多孔硅的制备和特性研究[J].西北师范大学学报,2000,36(4):36-41.
作者姓名:马书懿
作者单位:西北师范大学物理系!甘肃兰州730070,兰州大学物理系,甘肃兰州730000
基金项目:国家博士后基金资助项目!(9557),甘肃省教委科研资助项目!(981 17)
摘    要:在〈10 0〉和〈111〉硅衬底上 ,用超临界干燥方法制备了超高多孔度的多孔硅 (多孔度大于90 % ) ,并对其光致发光和光致发光激发以及结构进行了研究 .发现光致发光峰位随多孔度增加而蓝移的数值远小于量子限制模型预期的结果 .

关 键 词:超临界干燥  多孔硅  多孔度  光致发光

Fabrication and property study for porous silicon with ultra-high porosity
MA Shu-yi.Fabrication and property study for porous silicon with ultra-high porosity[J].Journal of Northwest Normal University Natural Science (Bimonthly),2000,36(4):36-41.
Authors:MA Shu-yi
Abstract:
Keywords:supercritical drying  porous silicon  porosity  photoluminescence
本文献已被 CNKI 维普 万方数据 等数据库收录!
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