| RF磁控溅射法制备PbTe纳米薄膜 |
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| 引用本文： | 任伟,曹文田,隋明晓.RF磁控溅射法制备PbTe纳米薄膜[J].山东师范大学学报(自然科学版),2010,25(2):50-52. |
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| 作者姓名： | 任伟 曹文田 隋明晓 |
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| 作者单位： | 山东师范大学物理与电子科学学院,250014,济南 |
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| 摘 要： | 利用RF磁控溅射和真空退火方法制备了PbTe纳米薄膜.利用SEM、XRD、AFM和FTIR分别对制备的样品的表面形貌和颗粒大小、结构以及带隙宽度进行了测试.结果显示,在10 W溅射功率下制备的PbTe纳米薄膜为纳米颗粒镶嵌薄膜,在20 W功率下为PbTe颗粒膜.10 W制备的纳米颗粒的平均直径为40 nm左右,平均高度为5 nm; 20 W制备的颗粒直径为100 -400 nm,平均高度为65 nm;两个条件下制备的样品均表现出明显的<100>方向的择优取向性,并且20 W的结晶质量比10 W的好.FTIR分析显示10 W和20 W制备的薄膜的带隙宽度分别为0.340 eV和0.343 eV,都比块体带隙宽度大.
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| 关 键 词： | RF磁控溅射 退火 纳米颗粒 |
PbTe NANOFILMS PREPARED BY RF MAGNETRON SPUTTERING |
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| Ren Wei,Cao Wentian,Sui Mingxiao.PbTe NANOFILMS PREPARED BY RF MAGNETRON SPUTTERING[J].Journal of Shandong Normal University(Natural Science),2010,25(2):50-52. |
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| Authors: | Ren Wei Cao Wentian Sui Mingxiao |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | PbTe |
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