| 高反压硅整流管台面成型工艺的研究 |
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| 引用本文： | 孙瑛,王国兴.高反压硅整流管台面成型工艺的研究[J].山东师范大学学报(自然科学版),1991,6(4):45-49,39. |
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| 作者姓名： | 孙瑛 王国兴 |
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| 作者单位： | 山东师大科研处，济南市中心医院，济南钟表厂 |
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| 摘 要： | 本文对大功率高反压硅整流管台面成型工艺中的斜角形成,台面腐蚀,表面清洁处理和表面钝化的关键技术,以及反向伏安特性进行了分析讨论。
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| 关 键 词： | 硅 整流管 台面成型 伏安特性 |
A STUDY ON MESA FORMING TECHNIQUE OF HIGH ANTI-VOLTAGE SILICON RECTIFIER TUBES |
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| Sun Ying,et al..A STUDY ON MESA FORMING TECHNIQUE OF HIGH ANTI-VOLTAGE SILICON RECTIFIER TUBES[J].Journal of Shandong Normal University(Natural Science),1991,6(4):45-49,39. |
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| Authors: | Sun Ying |
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| Institution: | Sun Ying,et al. Section of Scientific Research |
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| Keywords: | mesa forming volt-ampere characteristics silicon rectifier tube |
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