| Cu掺杂ZnS的第一性原理计算 |
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| 引用本文： | 刘建军,章志敏.Cu掺杂ZnS的第一性原理计算[J].安徽理工大学学报(自然科学版),2008,28(4). |
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| 作者姓名： | 刘建军 章志敏 |
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| 作者单位： | 淮北煤炭师范学院物理与电子信息学院,安徽,淮北,235000 |
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| 基金项目： | 安徽省绿色材料化学重点实验室科学研究基金
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| 摘 要： | 采用第一性原理的平面波赝势方法和广义梯度近似,研究了闪锌矿ZnS掺杂Cu前后的电子结构和光学性质。通过对掺杂前后电子能带结构,态密度以及分态密度的计算和比较,发现引入杂质Cu后,在价带顶Cu3d态与S3p态发生p-d排斥,造成价带顶向高能端移动;在导带底Zn4s与Cu3p相互重叠,发生杂化,引起导带向低能端偏移,两方面的作用使得ZnS的带隙变小。掺Cu后ZnS的光吸收向低能端扩展,并且在可见光区生成新的吸收峰。
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| 关 键 词： | 密度泛函理论 电子结构 Cu掺杂ZnS |
First-principles Calculation of Cu-doped ZnS |
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| LIU Jian-jun,ZHANG Zhi-min.First-principles Calculation of Cu-doped ZnS[J].Journal of Anhui University of Science and Technology:Natural Science,2008,28(4). |
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| Authors: | LIU Jian-jun ZHANG Zhi-min |
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