氧分压对NiO薄膜特性的影响 |
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引用本文: | 王致远,高玉涛,冯镇南,赵洋,王辉.氧分压对NiO薄膜特性的影响[J].河南科技大学学报(自然科学版),2019(2). |
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作者姓名: | 王致远 高玉涛 冯镇南 赵洋 王辉 |
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作者单位: | 河南科技大学物理工程学院;河南科技大学河南省光电储能材料与应用重点实验室 |
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摘 要: | 采用JGP-300型超高真空磁控溅射镀膜机在蓝宝石衬底上制备了Ni O薄膜。通过X射线衍射(XRD)仪、原子力显微镜(AFM)、紫外-可见分光光度计(UV-VIS)、霍尔(Hall)测试,研究了氧分压对Ni O薄膜晶体结构、表面形貌、光学特性和电学特性的影响。研究结果表明:Ni O薄膜具有单一的(111)衍射峰。当氧分压为60%时,Ni O薄膜具有较好的结晶性能。随着氧分压的升高,Ni O薄膜表面逐渐变光滑。由(αhν)2-hν曲线得到Ni O薄膜的禁带宽度为3. 60~3. 77 e V。所有Ni O薄膜都具有良好的p型导电特性,空穴载流子浓度为5. 45×10~(17)~2. 16×10~(19)cm~(-3)。
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