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铜铟镓硒薄膜太阳电池的应力问题
引用本文:李微,孙云,刘兴江.铜铟镓硒薄膜太阳电池的应力问题[J].华南师范大学学报(自然科学版),2009(Z1).
作者姓名:李微  孙云  刘兴江
作者单位:1. 中国电子科技集团公司,第十八研究所,化学与物理电源技术重点实验室,天津,300381
2. 南开大学,信息技术科学学院,光电子研究所,天津,300071
摘    要:分析了铜铟镓硒(CIGS)太阳电池的总应力来自于单层膜中的沉积应力及膜层界面间的相互作用. 计算得出Mo薄膜与CIGS薄膜界面晶格失配度最大,表明相对于其他界面,该界面的应力值较大. 而作为缓冲层的CdS薄膜有效地改善了吸收层CIGS薄膜与窗口层ZnO薄膜之间的界面应力. 而对于柔性衬底材料的PI薄膜,如何解决因其较大的热膨胀系数造成的热应力,将成为制备高效柔性CIGS薄膜太阳电池的关键技术.

关 键 词:CIGS太阳电池  薄膜应力

STRESS IN CIGS THIN FILM SOLAR CELL
LI Wei,SUN Yun,LIU Xingjiang.STRESS IN CIGS THIN FILM SOLAR CELL[J].Journal of South China Normal University(Natural Science Edition),2009(Z1).
Authors:LI Wei  SUN Yun  LIU Xingjiang
Abstract:
Keywords:
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