| n-i-p微晶硅太阳电池中p型掺杂层对其性能的影响 |
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| 引用本文： | 袁育杰,张楷亮,魏臻,耿新华.n-i-p微晶硅太阳电池中p型掺杂层对其性能的影响[J].中国科学:物理学 力学 天文学,2010(11):1410-1415. |
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| 作者姓名： | 袁育杰 张楷亮 魏臻 耿新华 |
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| 作者单位： | [1]天津理工大学,天津300384 [2]薄膜电子与通信器件天津市重点实验室,天津300384 [3]南开大学光电子薄膜器件与技术研究所,天津300071 |
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| 基金项目： | 国家重点基础研究发展计划（编号：2006cB202602和2006cB202603）、国家自然科学基金（批准号：60806030）和天津市自然科学基金（编号：08JCYBJC14600）资助项目 |
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| 摘 要： | 采用高压高功率RF-PECVD技术,研究了三个系列的p层微结构特性和光学特性对电池性能的影响,获得了适合n-i-p微晶硅太阳电池的p型掺杂层.实验结果表明,p层的微结构特性与电池性能密切相关,具有特定结构的p层能够使电池性能大幅度提高,获得转换效率为8.17%（Voc=0.49V,Jsc=24.9mA/cm2,FF=67%）的单结微晶硅太阳电池及转换效率为10.93%（Voc=1.31V,Jsc=13.09mA/cm2,FF=64%）的叠层太阳电池.
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| 关 键 词： | 微晶硅 太阳电池 量子限制效应 P型掺杂层 |
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