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实际纳米MOSFET电流噪声及其相关特性分析
引用本文:贾晓菲,何亮.实际纳米MOSFET电流噪声及其相关特性分析[J].中国科学:物理学 力学 天文学,2014(6):587-592.
作者姓名:贾晓菲  何亮
作者单位:安康学院电子与信息工程系;西安电子科技大学先进材料与纳米科技学院;
基金项目:陕西省教育厅科学研究计划(自然科学专项)(编号:2013K1115,12JK0971);国家自然科学基金(批准号:61106062);中央高校基本科研业务费专项资金(编号:K50511050007);安康学院高层次人才科研专项经费科研项目(编号:AYQDZR201206)资助
摘    要:实际纳米MOSFET电流噪声为散粒噪声和热噪声,且散粒噪声受到费米作用和库仑作用的抑制.而现有文献研究实际纳米MOSFET电流噪声时,采取了完全不考虑其散粒噪声的抑制,或者只是强调抑制的存在而并未给出具体的抑制分析.本文基于Navid模型推导了实际纳米MOSFET电流噪声,并考虑费米作用和库仑作用对散粒噪声的抑制.在此基础上,对电流噪声随沟道长度、温度、源漏电压和栅极电压的变化特性进行了分析,其变化规律与文献中已有的实验和理论变化相一致.沟道长度越短,温度越低,源漏电压越大和栅极电压越低,电流噪声主要以散粒噪声为主.

关 键 词:纳米MOSFET  散粒噪声  抑制因子
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