| 本征缺陷对ZnO:(In,N)薄膜p型导电的影响 |
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| 引用本文： | 谭蜜,孔春阳,李万俊,秦国平,张红,阮海波,王冬,王江.本征缺陷对ZnO:(In,N)薄膜p型导电的影响[J].中国科学:物理学 力学 天文学,2018(4). |
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| 作者姓名： | 谭蜜 孔春阳 李万俊 秦国平 张红 阮海波 王冬 王江 |
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| 作者单位： | 重庆师范大学物理与电子工程学院重庆市光电功能材料重点实验室;重庆大学物理学院;重庆文理学院新材料技术研究院; |
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| 摘 要： | 采用射频磁控溅射和离子注入技术,在石英玻璃衬底上制备了In-N共掺ZnO薄膜ZnO:(In,N)].通过优化退火工艺,成功实现了可重复的p型ZnO:(In,N)薄膜,其空穴浓度约为10~(16)cm~(-3),并观察到薄膜随退火产生n→p→n电学转变现象.利用X射线衍射(XRD)、X射线光电子能谱(XPS)、拉曼光谱(Raman)和光致发光谱(PL)等测试手段,研究了掺杂杂质和本征缺陷对薄膜结构和p型导电的影响.发现相较于n型样品,p型ZnO中N相关受主缺陷浓度并不占优,但其本征施主缺陷锌间隙(Zn_i)含量较少,本征受主缺陷氧间隙(O_i)和锌空位(V_(Zn))相对较多.表明薄膜中除N相关受主缺陷(N_O,In_(Zn)-nN_O)对p型导电有贡献之外,本征缺陷(V_(Zn),O_i,Zn_i)对实现薄膜p型导电也有重要作用.因此,如何调控ZnO中本征缺陷是实现其p型转变以及获得稳定p-ZnO薄膜的重要手段.
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