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| 第一性原理计算Al掺杂的正交相Ca_2Si的电子结构及光学性质 | |
| 引用本文： | 邓永荣,张春红,闫万珺,覃信茂,周士芸,陈少波.第一性原理计算Al掺杂的正交相Ca_2Si的电子结构及光学性质[J].四川大学学报(自然科学版),2018(1). |
| 作者姓名： | 邓永荣 张春红 闫万珺 覃信茂 周士芸 陈少波 |
| 作者单位： | 安顺学院贵州省高等学校航空电子电气与信息网络工程中心; |
| 摘 要： | 采用基于第一性原理方法对Ca_2Si和Al掺杂Ca_2Si的能带结构、态密度和光学性质进行计算.结果表明Al掺杂引起了晶格结构畸变,晶胞体积增大;Al掺杂Ca_2Si使得费米能级插入价带中,Ca_2Si导电类型变为P型半导体,禁带宽度由未掺杂时的0.26减小到0.144eV,价带主要由Si的3p,Al的3p以及Ca的4s和3d共同贡献,导带主要由Si的3p态贡献;光学性质的结果显示,由于Al掺入,ε1(0)值增大,ε2(ω)向低能端移动,吸收系数、复折射率增大,反射率减小. |
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