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CdTe薄膜的制备和后处理研究
引用本文:蔡伟,冯良桓,蔡亚平,张静全,武莉莉.CdTe薄膜的制备和后处理研究[J].四川大学学报(自然科学版),2002,39(2):273-276.
作者姓名:蔡伟  冯良桓  蔡亚平  张静全  武莉莉
作者单位:四川大学材料科学系,成都,610064
摘    要:用近空间升华法制备CdTe薄膜,研究了在不同衬底材料、基片温度下薄膜的微结构、衬底温度在400℃以上薄膜结晶状况较为完整。结晶状况较好的CdS薄膜上生长的CdTe薄膜晶粒较大,尺寸均匀。对CdTe薄膜进行了加热后处理研究。结果表明,加用CdCl2有助于热处理过程中薄膜晶粒的生长。

关 键 词:CdTe薄膜  近空间升华法  退火  碲化镉薄膜  多晶薄膜电阳电池  热处理  薄膜生长  制备方法
文章编号:0490-6756(2002)02-0273-04

STUDY OF DEPOSITION AND ANNEALING OF CdTe FILMS
CAI Wei,FENG Liang-huan,CAI Ya-ping,ZHANG Jing-quan,WU Li-li.STUDY OF DEPOSITION AND ANNEALING OF CdTe FILMS[J].Journal of Sichuan University (Natural Science Edition),2002,39(2):273-276.
Authors:CAI Wei  FENG Liang-huan  CAI Ya-ping  ZHANG Jing-quan  WU Li-li
Abstract:
Keywords:CdTe  close-space sublimation  solar cells  annealing
本文献已被 CNKI 维普 万方数据 等数据库收录!
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