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射频磁控溅射法制备CdTe薄膜及其性质的研究
引用本文:颜璞,黎兵,李愿杰,黄杨,王洪浩,孟奕峰,刘才,冯良桓.射频磁控溅射法制备CdTe薄膜及其性质的研究[J].四川大学学报(自然科学版),2009,46(1):147-151.
作者姓名:颜璞  黎兵  李愿杰  黄杨  王洪浩  孟奕峰  刘才  冯良桓
作者单位:四川大学材料科学与工程学院;四川大学材料科学与工程学院;四川大学材料科学与工程学院;四川大学材料科学与工程学院;四川大学材料科学与工程学院;四川大学材料科学与工程学院;四川大学材料科学与工程学院;四川大学材料科学与工程学院
摘    要:为了制备高效率的CdS/CdTe薄膜叠层太阳电池,本文采用射频磁控溅射技术在不同温度玻璃衬底上制备了CdTe多晶薄膜. 利用X射线衍射仪其微结构;用紫外分光光度计测量薄膜的透过谱,计算出了能隙Eg;利用原子力显微镜表征其微观形貌. 结果显示在常温时沉积的薄膜晶面取向性好,为立方闪锌矿型结构,有较低的透过率. 以上结果表明,用射频磁控溅射技术更适于制备CdS/CdTe薄膜叠层太阳电池中的CdTe薄膜.

关 键 词:CdTe  薄膜  射频(RF)磁控溅射
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