| 肖特基二极管对微波响应的多物理场协同计算 |
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| 引用本文： | 王 昊,陈 星,徐 可,黄卡玛.肖特基二极管对微波响应的多物理场协同计算[J].四川大学学报(自然科学版),2015,52(5):1035-1039. |
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| 作者姓名： | 王 昊 陈 星 徐 可 黄卡玛 |
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| 作者单位： | 四川大学电子信息学院;四川大学电子信息学院;四川大学电子信息学院;四川大学电子信息学院 |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金委员会与中国工程物理研究院联合基金（U1230112） |
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| 摘 要： | 以型号为HSMS 282c的肖特基二极管为例，利用多物理场协同算法对其微波响应特性进行了计算.通过比较器件在有或无封装时对特定频率的响应情况，发现封装可使器件的耗散功率增加87%.本文还对比了肖特基二极管在不同频率微波激励下的平均耗散功率，发现器件的耗散功率在 35 GHz附近存在峰值.当二极管的工作频率高于32 GHz时，耗散功率会随环境温度的增加而增加.研究结果对于半导体器件的微波效应研究具有重要的参考价值.
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| 关 键 词： | 非线性特性 微波 肖特基二极管 多物理场 |
| 收稿时间： | 3/2/2015 12:00:00 AM |
Research on the microwave response of a Schottky diode using a multi-physics co-simulation method |
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| WANG Hao,CHEN Xing,XU Ke and HUANG Ka Ma.Research on the microwave response of a Schottky diode using a multi-physics co-simulation method[J].Journal of Sichuan University (Natural Science Edition),2015,52(5):1035-1039. |
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| Authors: | WANG Hao CHEN Xing XU Ke and HUANG Ka Ma |
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| Institution: | College of Electronics and Information Engineering, Sichuan University;College of Electronics and Information Engineering, Sichuan University;College of Electronics and Information Engineering, Sichuan University;College of Electronics and Information Engineering, Sichuan University |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | Nonlinear characteristic Microwave Schottky diode Multi physics |
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