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ZnO/Cu2O异质结的制备及其光电性能研究
引用本文:许并社,贾伟.ZnO/Cu2O异质结的制备及其光电性能研究[J].太原理工大学学报,2012,43(3):231-236.
作者姓名:许并社  贾伟
作者单位:太原理工大学新材料界面科学与工程教育部重点实验室,太原030024;太原理工大学新材料工程技术研究中心,太原030024
基金项目:国家自然科学基金资助项目,山西省自然科学基金资助项目
摘    要:通过两步法制备了由ZnO纳米棒阵列和Cu2O薄膜组成的异质结。首先利用低温湿化学法在掺氟的SnO2导电玻璃(比较FTO)上生长ZnO纳米棒阵列,然后在ZnO纳米棒阵列上通过水热法继续生长Cu2O薄膜,形成ZnO/Cu2O异质结。通过扫描电子显微镜和X射线衍射仪的表征结果得知,ZnO纳米棒阵列具有很好的c轴取向性,其长度为1μm;而Cu2O薄膜的厚度为1.5μm,其(111)面优先沿ZnO的(002)面外延生长。与ZnO纳米棒阵列相比,ZnO/Cu2O异质结在可见光范围内吸收强度明显增强。在模拟太阳光照射下(AM 1.5,100mW/cm2),由ZnO/Cu2O异质结构成的太阳能电池器件的开路电压为0.36V,短路电流密度为7.8mA/cm2,对应的填充因子为31%,光电转换效率为0.86%。

关 键 词:ZnO纳米棒阵列  Cu2O  异质结  水热法

Cu2O/ZnO Heterojunction Preparation and Photoelectrochemical Performance
XU Bingshe , JIA Wei.Cu2O/ZnO Heterojunction Preparation and Photoelectrochemical Performance[J].Journal of Taiyuan University of Technology,2012,43(3):231-236.
Authors:XU Bingshe  JIA Wei
Institution:a,b(a.Key Laboratory of Interface Science and Engineering in Advanced Materials of TUT,Ministry of Education,Taiyuan 030024,China; b.Research Center of Advanced Materials Science and Technology,TUT,Taiyuan 030 024,China)
Abstract:
Keywords:
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