| MNOS存储晶体管的研制 |
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| 引用本文： | 赵守安,刘竞云,刘涛.MNOS存储晶体管的研制[J].暨南大学学报,1990(3). |
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| 作者姓名： | 赵守安 刘竞云 刘涛 |
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| 作者单位： | 暨南大学电子工程系，暨南大学电子工程系，暨南大学电子工程系 |
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| 摘 要： | 用液氮温度下的液氧蒸汽作为氧源,控制 O_2/N_2值在10~(-2)至10~(-3)可生长性能和重复性均为良好的可隧穿的超薄氧化层,结合用 SiH_4—NH_3体系的 LPCVD 技术,所淀积的具有电荷存储陷阱的 Si_3N_4膜能成功地制造 MNOS 结构存储晶体管。经测试,这种晶体管阈值窗口可设置在6V,对于管子处于高导态时,保留时间为10~3min,闽值电压变化的典型值为1V;当管子处于低导态时,其保留时间为3×10~3min 时阈电压变化的典型值为0.2V。这种存储管可擦写的次数为10~5以上。表明存储晶体管具有良好的器件特性。
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| 关 键 词： | MNOS结构 存储晶体管 超薄氧化硅 氮化硅 |
Fabrication and Characteristic MNOS Memory Transistors |
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| Zhao Shouan Liu Jingyun Liu Tao.Fabrication and Characteristic MNOS Memory Transistors[J].Journal of Jinan University(Natural Science & Medicine Edition),1990(3). |
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| Authors: | Zhao Shouan Liu Jingyun Liu Tao |
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| Institution: | Dept of Electronic Engineering |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | MNOS structure Memory transistor Ultra-thin SiO_2 Si_3N_4 |
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