| 谷胱甘肽自组装膜修饰电极用于Cr(Ⅵ)离子的测定 |
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| 引用本文： | 杨培慧,赵秋香,朱洁晶,蔡继业.谷胱甘肽自组装膜修饰电极用于Cr(Ⅵ)离子的测定[J].暨南大学学报,2004,25(1):97-101. |
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| 作者姓名： | 杨培慧 赵秋香 朱洁晶 蔡继业 |
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| 作者单位： | 暨南大学化学系,广东,广州,510632 |
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| 摘 要： | 将谷胱甘肽(GSH)自组装膜修饰电极用于Cr(Ⅵ)的测定.实验表明,在0.02mol/LH2SO4+0.1 mol/L NaNO3溶液中,在+1.00～-0.40V电位范围内进行循环伏安扫描,于+0.29V(Vs.SCE)处获得铬的还原峰信号、+0.65 V(Vs,SCE)处获得铬的氧化峰信号.Cr(Ⅵ)在GSH/Au修饰电极上的电化学行为比裸金电极有明显的改善,峰电流更为灵敏,且还原峰电流随着Cr(Ⅵ)浓度的增加而增大,因此选择+0.29V的还原峰作为分析信号,运用1.5次微分线性扫描伏安法对铬进行了定量分析,线性范围为1.0×10-8～1.0×10-6mol/L,检测限为1.0×10-9 mol/L.将所建立的方法应用于湖水样品中铬含量的测定,以ICP进行对照实验,结果满意.
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| 关 键 词： | 铬 谷胱甘肽 修饰电极 循环伏安法 |
| 文章编号： | 1000-9965(2004)01-0097-05 |
Investigation of Cr(Ⅵ) on the golden electrode modified by glutathione |
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