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| 射频磁控溅射技术制备Ge-SiO2薄膜的结构和光学特性研究 | |
| 引用本文： | 栾彩霞,柴跃生,孙钢,马志华,张敏刚.射频磁控溅射技术制备Ge-SiO2薄膜的结构和光学特性研究[J].太原科技大学学报,2005,26(2):136-139. |
| 作者姓名： | 栾彩霞 柴跃生 孙钢 马志华 张敏刚 |
| 作者单位： | 1. 太原科技大学,太原,030024;济南钢铁集团总公司技术中心,济南,250101 2. 太原科技大学,太原,030024;上海大学,上海,200072 3. 太原科技大学,太原,030024 4. 太原科技大学,太原,030024;中科院固体物理研究所,合肥,230031 |
| 基金项目： | 山西省自然科学基金资助项目(20041073). |
| 摘 要： | 用射频共溅射技术和后退火的方法，制备出埋入SiO2基质中的Ge纳米晶复合膜(nc-Ge／SiO2)。用XRD对薄膜的晶体结构进行了测试，未经退火的样品呈现非晶状态，600℃退火后的薄膜中开始有Ge纳米晶粒出现。研究了薄膜的Raman散射光谱，发现了其红移和宽化现象。测量了薄膜的光致发光谱，所有样品都在394nm处发出很强的光，随着Ge纳米晶粒的出现，样品有310nm和625nm处的光发出，其强度随晶粒平均尺寸的增大而增强。 |
| 关 键 词： | 射频磁控溅射技术 SiO2薄膜 特性研究 制备 Raman散射光谱 光学 纳米晶粒 Ge纳米晶 光致发光谱 晶体结构 平均尺寸 退火 复合膜 XRD 样品 600 |
| 文章编号： | 1673-2057(2005)02-0136-04 |
| 修稿时间： | 2004年6月14日 |
Study on Structure and Optical Properties of Ge-SiO2 Films Prepared by RF Sputtering |
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| LUAN Cai-xia,CHAI Yue-sheng,SUN Gang,MA Zhi-hua,ZHANG Min-gang.Study on Structure and Optical Properties of Ge-SiO2 Films Prepared by RF Sputtering[J].Journal of Taiyuan University of Science and Technology,2005,26(2):136-139. | |
| Authors: | LUAN Cai-xia CHAI Yue-sheng SUN Gang MA Zhi-hua ZHANG Min-gang |
| Abstract: | |
| Keywords: | Ge nanocrystals XRD Raman scattering photoluminescence(PL) |
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