| ITO薄膜的微结构及其分形表征 |
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| 引用本文： | 孙兆奇,;吕建国,;蔡琪,;曹春斌,;江锡顺,;宋学萍.ITO薄膜的微结构及其分形表征[J].中国科技论文在线,2008(4):273-277. |
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| 作者姓名： | 孙兆奇 ;吕建国 ;蔡琪 ;曹春斌 ;江锡顺 ;宋学萍 |
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| 作者单位： | [1]安徽大学物理与材料科学学院,合肥230039; [2]合肥师范学院物理与电子工程系,合肥230061 |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金（50642038）; 教育部博士点专项基金（20060357003）; 安徽省科技厅重点项目（05021028）; 安徽省人才专项基金（2004Z029）; 安徽大学人才队伍建设基金 |
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| 摘 要： | 采用直流磁控溅射法制备氧化铟锡（ITO）薄膜,用XRD、TEM和分形理论测试和分析了不同退火时间ITO薄膜的微结构。XRD分析表明：退火时间持续增加,薄膜的晶格常数先减小后略有增大,这是薄膜中Sn~（4＋）取代Sn~（2＋）导致晶格常数减小和压应力不断释放导致晶格常数增大共同作用的结果。分形研究表明：分形维数随退火时间的延长先减小后增大,说明薄膜中平均晶粒尺寸先减小后增大,与XRD的研究结果一致。
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| 关 键 词： | 无机非金属材料 微结构 分形 氧化铟锡(ITO)薄膜 |
Microstructure and fractal characterization of ITO films |
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| Institution: | SUN Zhaoqi LU Jianguo CAI Qi CAO Chunbin JIANG Xishun SONG Xueping(1.School of Physics and Material Science,Anhui University,Hefei 230039;2.Department of Physics and Electronic Engineering,Hefei Teachers College,Hefei 230061) |
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| Abstract: | Indium Tin Oxide （ITO） films,deposited by DC magnetron sputtering,were annealed at 300℃for different time.Microstructure and morphology of the ITO films are characterized by XRD,TEM and fractal.As the annealing time increasing,the effect of Sn4＋ replaceing Sn~（2＋） combined with releasing compression stress induces the lattice constant decrease at first,and increase later.The fractal dimension decreases at first and increased later, revealing that the mean grain size varies with the same way as fractal dimension. |
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| Keywords: | inorganic non-metallic meterial microstructure fractal indium tin oxide （ITO） films |
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