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超薄MoN扩散阻挡层的扩散阻挡性能分析
引用本文:刘春海,王龙,崔学军,金永中,叶松.超薄MoN扩散阻挡层的扩散阻挡性能分析[J].四川理工学院学报(自然科学版),2012,25(5):15-18.
作者姓名:刘春海  王龙  崔学军  金永中  叶松
作者单位:1. 四川理工学院材料与化学工程学院,四川自贡643000 材料腐蚀与防护四川省重点实验室,四川自贡643000
2. 巢湖学院电子工程与电气自动化学院,合肥,238000
基金项目:国家自然科学基金青年基金项目,材料腐蚀与防护四川省重点实验室开放基金项目,四川理工学院人才引进基金项目,四川省教育厅项目
摘    要:采用磁控溅射法,制备了超薄MoN扩散阻挡层,并对Cu/MoN/Si体系进行真空退火。用四点探针(FPP)、X射线衍射(XRD)、场发射扫描电子显微镜(FESEM)进行薄膜电性能和微结构表征。分析结果表明,MoN作为Cu扩散阻挡层结构具有良好的热稳定性,失效温度达到600℃,明显优于Mo扩散阻挡层。

关 键 词:磁控溅射  MoN  扩散阻挡层  热稳定性

Thermal Stability of an Ultrathin MoN Diffusion Barrier
LIU Chun-hai,WANG Long,CUI Xue-jun,JIN Yong-zhong,YE Song.Thermal Stability of an Ultrathin MoN Diffusion Barrier[J].Journal of Sichuan University of Science & Engineering:Natural Science Editton,2012,25(5):15-18.
Authors:LIU Chun-hai  WANG Long  CUI Xue-jun  JIN Yong-zhong  YE Song
Institution:1.School of Material and Chemical Engineering,Sichuan University of Science & Engineering,Zigong 643000,China;2.Material Corrosion and Protection Key Laboratory Province of Sichuan Province,Zigong 643000,China;3.School of Electronic Engineering and Electric Automatization of Chaohu College,Hefei 238000,China)
Abstract:An ultrathin MoN diffusionbarrier is prepared by a magnetron sputtering method.Cu/MoN/Si film stack is annealed in vacuum.Four point probe(FPP),X-ray diffraction(XRD) and scanning electron microscopy(SEM) are used for characterization of the diffusion barriers electrical properties and microstructure before and after annealing.The results show that the MoN diffusion barrier has an excellent thermally stability.Its failure temperature can be up to 600 ℃ than that of Mo diffusion barrier with same thickness.
Keywords:magnetron sputtering  MoN  diffusion barrier  thermal stability
本文献已被 CNKI 万方数据 等数据库收录!
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