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基于容忍单粒子效应的集成电路加固方法研究
引用本文:徐亚伟.基于容忍单粒子效应的集成电路加固方法研究[J].四川理工学院学报(自然科学版),2018(4).
作者姓名:徐亚伟
作者单位:安徽工程大学电气工程学院;安徽机电职业技术学院
摘    要:针对现有容忍单粒子效应的锁存器结构无法同时容忍单粒子翻转(SEU)、单粒子瞬态(SET),以及未考虑电荷共享导致的双节点翻转(DNU)问题,提出一种高可靠性的同时容忍SEU、SET和DNU的锁存器加固结构SRDT-SET。基于空间和时间冗余原理,该锁存器结构采用了多个输入分离的施密特触发器来构建高可靠性数据存储反馈环,同时内嵌多个施密特触发器。HSPICE仿真结果表明,SRDT-SET锁存器结构能够从SEU中在线自恢复,容忍的SET脉冲宽度更宽,并且能够有效容忍DNU,功耗-延迟综合开销不大,有效增强了SET脉冲的过滤能力。

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