| 镓锌氧化物半导体薄膜的晶粒生长特性及其微结构研究 |
| |
| 引用本文： | 钟志有,陆 轴,龙 路,康 淮.镓锌氧化物半导体薄膜的晶粒生长特性及其微结构研究[J].中南民族大学学报(自然科学版),2016(1):75-80. |
| |
| 作者姓名： | 钟志有 陆 轴 龙 路 康 淮 |
| |
| 作者单位： | 中南民族大学 电子信息工程学院，智能无线通信湖北省重点实验室，武汉 430074 |
| |
| 基金项目： | 湖北省自然科学基金资助项目( 2011CDB418) ; 中央高校基本科研业务费专项资金资助项目( CZW14019) |
| |
| 摘 要： | 采用Zn O:Ga3O2高密度陶瓷靶作为溅射源材料,利用射频磁控溅射技术在玻璃基片上制备了镓锌氧化物(Ga Zn O)半导体薄膜.基于X射线衍射仪的测试表征,研究了薄膜厚度对Ga Zn O样品晶粒生长特性和微结构性能的影响.研究结果表明:所制备的Ga Zn O样品为多晶薄膜,并且都具有六角纤锌矿型结构和(002)晶向的择优取向生长特性;其(002)取向程度、结晶性能和微结构参数等均与薄膜厚度密切相关.随着薄膜厚度的增大,Ga Zn O样品的(002)择优取向程度和晶粒尺寸表现为先增大后减小,而位错密度和晶格应变则表现为先减小后增大.当薄膜厚度为510 nm时,Ga Zn O样品具有最大的(002)晶向织构系数(2.959)、最大的晶粒尺寸(97.8 nm)、最小的位错密度(1.044×1014m-2)和最小的晶格应变(5.887×10-4).
|
| 关 键 词： | 磁控溅射 氧化锌薄膜 晶粒生长 微结构 |
Grain Growth and Microstructure of Gallium-Zinc Oxide Semiconductor Thin Films |
| |
| Zhong Zhiyou,Lu Zhou,Long Lu,Kang Huai .Grain Growth and Microstructure of Gallium-Zinc Oxide Semiconductor Thin Films[J].Journal of South-Central Univ for,2016(1):75-80. |
| |
| Authors: | Zhong Zhiyou Lu Zhou Long Lu Kang Huai |
| |
| Abstract: | |
| |
| Keywords: | magnetron sputtering zinc oxide thin films grain growth microstructure |
| 本文献已被 CNKI 等数据库收录！ |
| 点击此处可从《中南民族大学学报(自然科学版)》浏览原始摘要信息 |
| 点击此处可从《中南民族大学学报(自然科学版)》下载免费的PDF全文 |
