| 镓镁锌氧化物透明导电薄膜的制备及其表征 |
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| 引用本文： | 顾锦华,朱 雅,陆 轴,康 淮.镓镁锌氧化物透明导电薄膜的制备及其表征[J].中南民族大学学报(自然科学版),2018(4):88-94. |
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| 作者姓名： | 顾锦华 朱 雅 陆 轴 康 淮 |
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| 作者单位： | 1 中南民族大学 实验教学与实验室管理中心，武汉 430074; 2 中南民族大学 电子信息工程学院，武汉 430074 |
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| 基金项目： | 湖北省自然科学基金资助项目( 2011CDB418) ; 中央高校基本科研业务专项资金资助项目( CZP17002) |
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| 摘 要： | 采用磁控溅射方法制备了镓镁锌氧化物(GaMgZnO) 透明导电薄膜，通过 X 射线衍射仪、四探针仪和分光光度计的测试分析，研究了沉积温度对 GaMgZnO 薄膜微观结构和电光性能的影响．结果显示: 所制备的样品均为六角纤锌矿结构的多晶薄膜并具有c轴择优取向生长特点，其结晶质量和电光性能与沉积温度密切相关．当沉积温度为 550 K 时，GaMgZnO 薄膜的晶粒尺寸最大(51.72 nm) 、晶格应变最小(1.11×10-3)、位错密度(3.73×10-3line·m-2) 、电阻率最低(1.63×10-3 Ω·cm) 、可见光区平均透过率(82．41%) 、品质因数最大(5.06×102 Ω-1·cm－1) ，具有最好的结晶质量和光电综合性能．另外采用光学表征方法
获得了薄膜样品的光学能隙， 结果表明由于受 Burstein-Moss 效应的影响，GaMgZnO薄膜的光学能隙均大于未掺杂ZnO的数值．
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| 关 键 词： | 磁控溅射 掺杂氧化锌 透明导电薄膜 |
Preparation and Characterization of Gallium MagnesiumZinc Oxide Transparent Conductive Thin Films |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | magnetron sputtering doped zinc oxide transparent conductive thin film |
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