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| 静态随机存储器单粒子翻转效应截面的蒙特卡罗模拟 | |
| 引用本文： | 高丽娟,白彩艳.静态随机存储器单粒子翻转效应截面的蒙特卡罗模拟[J].山西师范大学学报,2019(3). |
| 作者姓名： | 高丽娟 白彩艳 |
| 作者单位： | 晋中学院数理学院 |
| 摘 要： | 单粒子翻转(SEU)效应是离子入射静态随机存储器(SRAM)使其逻辑状态发生改变的一种效应.依据地面单粒子翻转实验数据构建合适的模型可以对器件的在轨运行错误率进行预估.文章主要针对0.15μm工艺的SRAM,基于蒙特卡罗软件Geant4,构建经验模型,模拟其单粒子翻转效应截面,并将模拟结果与实验结果进行对比,结果表明该经验模型可以应用于亚微米器件单粒子翻转效应的模拟. |
| 本文献已被 CNKI 等数据库收录！ | |