| Co掺杂ZnO薄膜退火前后的磁性研究 |
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| 引用本文： | 秦秀芳,邓晨华.Co掺杂ZnO薄膜退火前后的磁性研究[J].山西师范大学学报,2010(4). |
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| 作者姓名： | 秦秀芳 邓晨华 |
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| 作者单位： | 山西师范大学分析测试中心;山西师范大学化学与材料科学学院; |
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| 基金项目： | 山西省科学基金2008011042-1 |
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| 摘 要： | 室温下采用磁控溅射的方法在Al2O3(0001)基片上制备了不同Co含量掺杂的ZnO稀磁半导体薄膜Zn1-xCoxO(x=3%,6%,8%),并进行了500℃的后期真空退火处理.采用X射线衍射仪(XRD)、紫外-可见分光光度计(UV-vis)和振动样品磁强计(VSM)研究了薄膜的结构、光学和磁学性能.结果表明,磁控溅射制备的ZnCoO薄膜中,Co2+离子占据了ZnO中Zn2+离子的位置,但没有改变ZnO的纤锌矿晶体结构,也没有第二杂质相的出现.退火前后薄膜均显示室温铁磁性且磁性大小随Co含量的变化呈相反趋势.磁性大小与晶面间距有一定的关系,分析后认为磁性机制符合束缚磁极子(BMP)模型.
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| 关 键 词： | 磁控溅射 稀磁半导体 退火 磁性 |
Magnetic Properties of Co Doped ZnO Films Before and After Annealing |
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| QIN Xiu-fang,DENG Chen-hua.Magnetic Properties of Co Doped ZnO Films Before and After Annealing[J].Journal of Shanxi Teachers University,2010(4). |
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| Authors: | QIN Xiu-fang DENG Chen-hua |
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| Institution: | QIN Xiu-fang1,DENG Chen-hua2(1.Center of Analysis and Test,Shanxi Normal University,Linfen 041004,Shanxi,China2.School of Chemistry and Materials Science,China) |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | magnetron sputtering diluted magnetic semiconductor annealing magnetic property |
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