| 〈101〉取向织构氮化铝薄膜的制备研究 |
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| 引用本文： | 张晓光,刘晖.〈101〉取向织构氮化铝薄膜的制备研究[J].天津理工大学学报,2004,20(4). |
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| 作者姓名： | 张晓光 刘晖 |
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| 作者单位： | 天津理工大学,自动化与能源工程学院,天津,300191 |
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| 摘 要： | 采用直流溅射法在室温条件下制备〈101〉取向织构的氮化铝(AlN)多晶薄膜,研究实验条件(溅射功率、氩气和氮气流量等)对氮化铝薄膜的成膜速率、结构、颗粒度、应力等性能的影响,得到了较佳的制备条件.本研究结果具有成膜温度低、溅射功率小、沉积速率高和薄膜高度织构等优点,对高性能氮化铝薄膜的制备及应用研究具有一定的参考价值.
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| 关 键 词： | 氮化铝 织构 磁控溅射 |
Preparation of 〈101〉 oriented AIN films |
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| ZHANG Xiao-guang,LIU Hui.Preparation of 〈101〉 oriented AIN films[J].Journal of Tianjin University of Technology,2004,20(4). |
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| Authors: | ZHANG Xiao-guang LIU Hui |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | aluminum nitride texture magnetron-sputtering |
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