| RF反应溅射法制备高度取向生长的透明多晶ZnO薄膜 |
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| 引用本文： | 龚恒翔,王印月,方泽波,徐大印,杨映虎.RF反应溅射法制备高度取向生长的透明多晶ZnO薄膜[J].兰州大学学报(自然科学版),2002,38(2):48-51. |
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| 作者姓名： | 龚恒翔 王印月 方泽波 徐大印 杨映虎 |
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| 作者单位： | 兰州大学,物理科学与技术学院,甘肃,兰州,730000 |
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| 基金项目： | 甘肃省自然科学基金资助项目 (ZS0 11- A2 5 - 0 5 0 - C) |
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| 摘 要： | 采用 RF反应溅射法在普通玻璃衬底上制备了具有良好 c轴取向性的透明多晶 Zn O薄膜 .由 X射线衍射技术 (XRD)分析了样品结构与沉积条件的关系 .溅射气体中 O2 分压比 R(PO2 /PAr)和衬底温度 Ts 对 Zn O薄膜的结构有显著和相似的影响 ,达到最佳点之前 ,这两个参数与Zn O薄膜质量是正相关的 ,随后薄膜质量随 R和 Ts 的增大而急剧下降 .在最佳沉积条件下得到的样品 XRD谱中只有 (0 0 2 )一个衍射峰 ,此衍射峰半高宽 (FWHM)仅为 0 .2 0°,由此计算得到晶粒大小为 4 2 .8nm.同时还发现所有薄膜中都有垂直于 c轴的压应变存在 ,并且随着衬底温度的升高而减小 .由薄膜折射率数据计算得到的薄膜堆积密度达到 97% ,在 30 0～ 10 0 0 nm波长范围内样品的平均透过率达到 92 % ,表明样品具有良好的致密度和透明性
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| 关 键 词： | RF反应溅射法 制备 取向生长 透明多晶ZnO薄膜 透过率 折射率 半导体薄膜 |
| 文章编号： | 0455-2059(2002)02-0048-04 |
| 修稿时间： | 2001年5月28日 |
Highly oriented and transparent polycrystalline ZnO films prepared by RF actively sputtering technique |
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| GONG Heng-xiang,WANG Yin-yue,FANG Ze-bo,XU Da-yin,YANG Ying-hu.Highly oriented and transparent polycrystalline ZnO films prepared by RF actively sputtering technique[J].Journal of Lanzhou University(Natural Science),2002,38(2):48-51. |
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| Authors: | GONG Heng-xiang WANG Yin-yue FANG Ze-bo XU Da-yin YANG Ying-hu |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | polycrystalline ZnO films RF actively sputtering technique preferred orientation optical transmission |
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