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新型半导体薄膜材料的制备,结构和特性研究
引用本文:陈光华.新型半导体薄膜材料的制备,结构和特性研究[J].兰州大学学报(自然科学版),1999,35(3):22-26.
作者姓名:陈光华
作者单位:兰州大学电子材料研究所!甘肃兰州730000,北京工业大学应用物理系,北京100022
摘    要:主要介绍了研究所20年来在新型薄膜半导体的制备、结构及特性研究方面所取得的成就,尤其是对非晶硅碳和非晶硅硅锗(α-SiC:H和α-SiGe:H)薄膜、金刚石和类金刚石薄膜、立方氮化硼(c-BN)薄膜、β-C3N4薄膜和富勒烯薄膜的研究工作取得了重要成果,不少工作已达到国际先进水平,发表论文300余篇。

关 键 词:半导体薄膜  立方氮化硼薄膜  非晶硅  制备  结构

Preparations, Microstructures and Properties of Novel Semiconductor Thin Films
Chen Guanghua.Preparations, Microstructures and Properties of Novel Semiconductor Thin Films[J].Journal of Lanzhou University(Natural Science),1999,35(3):22-26.
Authors:Chen Guanghua
Abstract:
Keywords:
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